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MOSFET管阈值电压和耐压的关系公式是什么?
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推荐答案 2021-10-25
MOS管阈值电压,击穿电压,以及饱和导通时的电阻等等,是有一套设计计算程式的,不过这些都是元件设计厂商做的,然后将这些参数转为生产流程的控制步骤。因此任何元件生产厂家只要按照这样的生产流程进行生产,就会得到参数近乎一致的元件来;想必你不是做这方面的,那么要得到这些参数就只能去查看其手册了;成品后,这些参数就是元件所固有的,当然,你也可以通过实验来取得,但是可就没有什么通用的计算公式;
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。MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
MOSFET管阈值电压和耐压的关系公式是什么?
答:
MOS
管阈值电压
,击穿电压,以及饱和导通时的电阻等等,是有一套设计计算程式的,不过这些都是元件设计厂商做的,然后将这些参数转为生产流程的控制步骤。因此任何元件生产厂家只要按照这样的生产流程进行生产,就会得到参数近乎一致...
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多少?
答:
MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压,
MOSFET的
重要参数之一 。MOS
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饱和区电流
公式
答:
该
公式是
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电流增益系数,W/L表示MOS管的宽度和长度比,Vgs表示栅极电压,Vth表示
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。饱和区电流是指在
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mos管漏极电流
怎么
计算?
答:
MOSFETS饱和时候的漏极电流
公式
:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动
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。
功率场效应晶体管的特性
答:
二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号1.极限参数和符号(1) 漏源极间短路时,栅漏极间的
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影响
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答:
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