饱和区电流公式

如题所述

该公式是I=0.5*k*(W/L)*(Vgs - Vth)^2。
I表示饱和区电流,k表示MOS管的电流增益系数,W/L表示MOS管的宽度和长度比,Vgs表示栅极电压,Vth表示阈值电压。
饱和区电流是指在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的饱和区工作时的电流。这个区域通常出现在MOSFET的漏极和源极之间的电压超过其阈值电压时。
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