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饱和漏电流公式
饱和
区
电流公式
答:
该公式是I=0.5*k*(W/L)*(Vgs - Vth)^2
。I表示饱和区电流,k表示MOS管的电流增益系数,W/L表示MOS管的宽度和长度比,Vgs表示栅极电压,Vth表示阈值电压。饱和区电流是指在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的饱和区工作时的电流。这个区域通常出现在MOSFET的漏极和源极之间的电压超过其...
漏电流
的计算
公式
是什么?
答:
漏电流I=kUC
,其中k漏电流常数,U为电容两端电压,C为电容值,单位为μa(v·μf)。。电容介质不可能绝对不导电,当电容加上直流电压时,电容器会有漏电流产生。若漏电流太大,电容器就会发热损坏。除电解电容外,其他电容器的漏电流是极小的,故用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能;而电解电容因漏电较...
什么叫稳压管的
饱和电流
,击穿电流,发射系数
答:
应该是反向
饱和漏电流
吧?击穿电流 就是 反向电压击穿时的电流。发射系数 在平面波对平面边界垂直人射的情下,例如在传输线、波导及某些自由波的情形,波抗和特性阻抗的概念才是有用到的
电容
漏电流
的测试方法和测试
公式
答:
计算公式:
Ir=U/R R
指电容的绝缘电阻 U 电容所加的电压 测试方法:漏电流测试仪 加额定电压,断电,测试,取1min读数!时间越长,漏电流越小,通常取1min时的读数!
关于
漏电流
的计算
公式
答:
电解电容的
漏电流
计算
公式
为:I=K系数*C容量*U电压。这个计算公式只适合电解电容吗?还是其他所有形式的电容都适合!比如Y电容,BOX电容等等!谢谢!... 电解电容的漏电流计算公式为:I=K系数*C容量*U电压。这个计算公式只适合电解电容吗?还是其他所有形式的电容都适合!比如Y 电容,BOX电容等等!谢谢! 展开 ...
电流
与
漏电
的匹配换算
公式
答:
电流与漏电的匹配换算
公式
是
漏电流
I=kUC。根据查询相关资料信息显示,漏电流I=kUC,其中k漏电流常数,U为电容两端电压,C为电容值。
y电容的
漏电流
计算
公式
?
答:
R,则电容器的
漏电流
I_{\text{leak}}$可以通过以下
公式
计算:I_{\text{leak}} = V/R其中,R通常用 M\Omega(兆欧)或 G\Omega(千兆欧)表示,漏电流的单位为安培(A)。需要注意的是,在实际测量中,由于漏电阻抗很大,因此漏电流通常需要经过比较长时间的积分才能得到一个准确的值。
请问高手帮帮我~~~电解电容
漏电流
计算方法是这样计算的吗?
答:
电解电容
漏电流
计算方法是电解电容漏电流I=电解电容电容量C×电解电容耐压×0.01打于160V的电容×0.01小于160V的电容×0.03
已知MOS管过驱动电压为0.1V和IDS=24uA,怎么算宽长比
答:
首先你要知道这个晶体管的工艺参数,确定好μnCox的值,然后,利用晶体管在
饱和
区的
漏电流
计算
公式
,得到相应的宽长比 Ids=[μnCox *(W/L)*(Vod)^2]/2确定宽长比
关于三极管
饱和
B极
电流
的计算(两个三极管搭建)
答:
以上计算是在Q1
饱和
的状态下计算的,如果Q1不在饱和状态下,可求出Q1的集电极电流Ic1(求Ic1按单管的方法去求解,其中Vcc=12-0.7=11.3V),然后求Ib2(Ib2=Ic1)。关于47K电阻的作用就是在小电流时,可保证Q1截止时Q2也能可靠截止。由于Q1在截止时还有很小的Ic1(
漏电流
),而这个电流可以...
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