影响mosfet阈值电压的因素

Question

如题所述

Answer 1

影响mosfet阈值电压的因素是栅氧化层厚度氧化层固定电荷衬底掺杂浓度。

MOSFET阈值电压是指在MOSFET导通的过程中，栅极和源极之间的电压达到一定值时，MOSFET开始导通的电压。高阶效应是指在微米级别的MOSFET器件中，由于电场、梯度等因素的影响，导致器件的电性能受到影响的现象。

高阶效应对MOSFET阈值电压的影响主要表现在两个方面：

1.通道长度调制效应：通道长度调制效应是指在MOSFET通道长度较小的情况下，由于电场效应的影响，通道中的电子浓度会受到影响，从而导致阈值电压的变化。当通道长度减小时，电子浓度的变化会导致阈值电压的变化。

2.反型耗尽效应：反型耗尽效应是指在MOSFET器件中，由于电场效应的影响，导致P型基底区域中的电子被抽出，形成一个N型反型耗尽区，从而影响阈值电压的变化。当反型耗尽区的形成，会导致阈值电压的变化。

影响cmos阈值电压的因素：

1、栅氧化层厚度TOX。

2、衬底费米势。

3、金属半导体功函数差。

4、耗尽区电离杂质电荷面密度。

耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比。

5、栅氧化层中的电荷面密度Qox。