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mos管击阈值电压和什么有关 - 99问答网
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    mos管击阈值电压和什么有关

    cmos管的阈值电压跟什么有关答：阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压，其中cmos管的阈值电压跟栅氧化层厚度TOX、衬底费米势、耗尽区电离杂质电荷面密度、栅氧化层中的电荷面密度Qox有关。
    阈值电压影响因素答：阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空...
    nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压答：阈值电压和以下几个因素有关：栅电极材料类型，栅氧化层厚度，衬底掺杂浓度，栅氧化层层中的电荷密度等相关，一般工艺中n/p mos的栅氧化层厚度tox都是相同的，栅电极材料类型也相同，栅氧化层层中的电荷密度也相同，但是衬底浓度却不一样，nmos直接做在psub外延p-epi上面，而pmos 做在p-epi的nwell上...
    典型MOS管的阈值电压是多少答：MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数...
    阈值电压的MOS管的阈值电压探讨答：一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，gate材质和电介质中的过剩电荷。每个因素都会被简单的介绍下。Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果backgate越重掺杂，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate ...
    在MOS管里面,为什么阈值电压正负跟是否是耗尽型还是增强型有至?答：1、原理不同，最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。2、控制方法是不一样的。耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通，而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的 增强型NMOS，都是正电压控制的。
    MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?答：MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
    阈值电压的计算公式答：MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。阈值电压影响因素 一、背栅的掺杂 backgate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越多，它的反转就越难。
    测量mosfet门极阈值电压的方法答：backgate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越多，它的反转就越难。如果想要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调节。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。如果implant是由受主组成的，那么硅表面反转就更难，阈值电压...
    EDA探索丨第2期:什么是阈值电压?答：想象一下，当栅极的电压如同水龙头的开关，控制着源极和漏极之间的电流流动。当电压低于阈值，MOS管就像紧闭的水龙头，电流停滞；而一旦超过阈值电压，电流便如同打开的水龙头，开始潺潺流动。这个转折点，即阈值电压，是MOS管行为的关键转折，也是它性能参数中的重要标志。从物理角度看，阈值电压就像是沟道...
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