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mos管击阈值电压和什么有关
mos管
漏源导通电阻
答:
MOSFET
的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区,则交流电阻近似为无穷大,直流电阻也是很大的。对于实际的MOSFET,考虑到源、漏的串联电阻,则总的导通电阻应该是 Ron+Rs+Rd....
mos管
是干
什么
用的?
答:
双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入
电压
的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型
MOS管
)。而P沟道常见...
MOS管
为
什么
不加
电压
就能打开和关闭?
答:
显然这边24V与另一边220V是没有了电气联系的,那我这边36V也显然和220V交流电那边没了联系。而这个24V是相对于参考点而言的,参考点具体是多少?可以是1V,可以是2V,可以是3V...甚至更高。我们习惯于把大地作为理想的地,因为发电厂的电流会流回的最终点就是大地。你用手去摸
MOS管
,你实际上也属于...
当
MOS管的
栅源电压低于
阈值电压
时,MOS管会完全关断吗?
答:
不会完全关断,在
阈值电压
附近,电阻斜坡式增加。
p沟道
mos管
导通条件
答:
P沟道
MOS管
导通的条件是在栅极G加触发电压,使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中,当栅源电压差大于
阈值电压
时(即VGS>Vth),会形成一个由正负载流组成的导通路径,使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
如何理解在
阈值电压
附近,电压降的微小波动会引起电流可能二十倍或几十...
答:
此时就会烧东西了记得有 氧化铜整流器 这个名称 我想有可能是接触处的氧化铜对交流有所整流,畸变的带直流成份的交流加在电机上,直流成份有制动的作用,使用电机处于类似堵转的状态,导致电流大增这和二极管反向击穿是一个道理吧 电压小于
阈值电压
时,电阻很大,几乎没有电流 但是在阈值电压附近,电压降的...
mos
场效应管判断好坏
答:
为了进一步确认
MOS管的
好坏,还可以使用专业的半导体测试仪器进行更精确的测量。这些仪器可以对MOS管的各项参数进行详细的测试,包括
阈值电压
、跨导、漏电流等,从而更准确地判断MOS管的工作状态。需要注意的是,MOS管的损坏可能由多种原因引起,例如过压、过流、静电击穿等。因此,在使用MOS管时,应注意遵守...
电力
mos管
为
什么有
损耗
答:
MOS管导通条件是Vgs电压至少达到
阈值电压
Vgs(th),其通过栅极电荷对Cgs电容充电实现,当MOS管完全导通后就不需要提供电流了,即压控的意思。这三个寄生电容参数值在
MOS管的
规格书中一般是以Ciss,Coss和Crss形式给出,其对应关系为:Cgd=Crss;Cds=Coss-Crss;Cgs=Ciss-Crss。图4 MOS管寄生电容 在MOS...
二极管形成的过程...
答:
如果GATE电压超过了
阈值电压
,在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。图1.23
MOSFET
晶体管的截面图:NMOS(A)和PMOS(B)。在图中,S=Source,G=Gate,D=...
MOS管
中开关阈值
与阈值电压
的区别是
什么
答:
如果不抠字眼的话是一样的,非要钻牛角尖的话,开关阈值已经是确定的接法了,而
阈值电压
,对地还是对什么的电压还没有确定。
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