MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
扩展资料：
MOS管其发热情况有以下三点：
1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
参考资料来源：
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第1个回答 推荐于2017-09-12
MOS的阈值电压是一个范围值的。
一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V,
200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。
这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看
该型号MOS的DATASHEET，才能用好。本回答被提问者采纳
一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V,
200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。
这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看
该型号MOS的DATASHEET，才能用好。本回答被提问者采纳
第2个回答 2010-09-18
300K时，一般N管0.7V左右，P管1V左右
我用的是耐压5V的，90nm和0.13um的工艺我还没用过，对它们的阈值电压还不了解
我用的是耐压5V的，90nm和0.13um的工艺我还没用过，对它们的阈值电压还不了解
第3个回答 2010-09-18
2-4V
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