mosfet 阈值电压

“MOSFET(P型衬底)表面处的电子浓度等于体内的空穴浓度,该条件称为阈值反型点,所加的电压称为阈值电压。”
以上这段话摘自某著名半导体物理学教材,我的问题是:为什么阈值电压一定要使表面的浓度等于体内的浓度?如果把阈值电压理解成开启电压,从能带图上分析,只要表面势大于体内费米能级与本征费米能级的差值就可以了(此时表面处呈现N型半导体特征),根本不需要表面电子浓度大于体内空穴浓度

希望回答能够直指本质,不要抄一大堆看不懂的

阈值电压: Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态,是器件由耗尽向反型转变时,是处于临界导通状态。
正如你说“根本不需要表面电子浓度大于体内空穴浓度
”这样MOS器件就不能反型,不能形成沟道,无法正常工作。
第二个能带图的理解问题,我回答不了,能力有限
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第1个回答  2010-07-20
因为沟道形成在所谓的“表面”——应该是绝缘介质和硅界面
第2个回答  2010-07-31
这样才能产生沟道
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