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光刻胶arf和krf
光刻胶
g线、i线、
KrF
、
ArF
、EUV,到底是在说什么
答:
在半导体制造的精密舞台上,
光刻胶
如同画师手中的调色盘,根据曝光光源的不同波长,将微观世界精细划分。我们来解析一下那些术语:g线、i线、KrF、ArF和EUV,它们各自代表的是怎样的技术革命。技术分类与应用从800-1200nm到350-500nm,g线和i线主导着早期的半导体工艺,是集成电路制造的基石。
ArF和KrF
...
半导体核心材料—
光刻胶
概述
答:
具体而言,半导体光刻胶中g线/i线光刻胶国产化率为10%,而
ArF
/
KrF光刻胶
的国产化率仅为1%,对于最高端的EUV光刻胶目前仍处于研发阶段。目前国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业包括晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华等。相关企业以i 线、g线光刻胶生产为主,应用集成电路制程为350nm以上。...
光刻胶
主要有哪几种类型?
答:
ArF光刻胶
是市场需求的主流,占比约42%。而
KrF
则多用于8寸晶圆片,占比约22%。半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,分别是紫外全谱(300~450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和193nm)和极紫外(EUV),相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说,波长越短...
半导体核心材料—
光刻胶
概述
答:
2. 光刻胶世界分类光刻胶根据应用领域分为半导体、LCD和PCB光刻胶,其中半导体光刻胶技术要求最高。我国在PCB光刻胶领域的国产化进展较快,而在半导体光刻胶,尤其是
ArF和KrF光刻胶
,与国际先进水平仍有一定差距。3. 光刻胶产业链全景从上游的原材料供应到中游的制造,产业链中日本、韩国和美国占据...
为什么整个
光刻
步骤要在黄光照明的暗室内进行
答:
原因:旋涂
光刻胶
的厚度与曝光的光源波长有关(不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率):I-line最厚,约0.7~3μm;
KrF
的厚度约0.4~0.9μm;
ArF
的厚度约0.2~0.5μm。黄光照明,避免了光辐照后可能产生酸或产生交联。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity)...
半导体设备系列-
光刻
机
答:
第三代为扫描投影式
光刻
机,光源改进为248nm的
KrF
氟化氪准分子深紫外光源,实现了跨越式发展,将最小工艺推进至150—250nm。第四代为步进式投影式光刻机,采用193nm波长的
ArF
氟化氩准分子激光光源,可实现制程推进到了65—130nm。第五代为EUV光刻机,选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源。3、...
南大光电的
ArF光刻胶
已经进入到验证阶段
答:
南大光电的
ArF光刻胶
已经进入到验证阶段,车间产线已经送样了,半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,通常来说,波长越短,加工分辨率越佳。分别是紫外全谱(300~450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)。248nm波长光源的光刻胶为
KrF光刻胶
,...
光刻胶
是制造手机芯片必不可少的东西,你知道光刻胶是啥吗?
答:
对于晶锐股份的ARF光刻胶以及ARfi光刻胶有着一定的推动作用。而上海信阳花费7.32亿元推动集成电路制造,其中
ARF光刻胶与KrF光刻胶
成为其公司项目的主要攻克方向。不管是南大光电还是晶锐股份,又或者是上海新阳,这些企业为中国在光刻胶领域上面的发展填上了一笔又一笔色彩,使得我们在这个领域之中不再是...
上海新阳拟募资15亿元投向高端
光刻胶
等项目 部分核心技术已获突破_百度...
答:
8月15日,上海新阳(300236)披露定增预案,公司拟向特定对象发行股票募集资金不超过15亿元,其中7.32亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目,3.48亿元用于集成电路关键工艺材料项目,4.20亿元用于补充公司流动资金。预案显示,以
ArF光刻胶
、
KrF
厚膜光刻胶为代表的高端光刻胶以及工艺的主要技术...
光刻胶
领域的“七小福”
答:
KrF光刻胶
同比增长近300%,已批量供应中芯、长存等客户。2、 晶瑞电材 公司是国内光刻胶老牌企业,立足于g/i线光刻胶,发力高端 KrF、
ArF
。子公司苏州瑞红拥有负型光刻胶系列、宽谱正胶系列、g 线系列、i线光刻胶系列、KrF光刻胶系列等数十个型号产品。i线光刻胶已向国内中芯国际、合肥长鑫...
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