原因:旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率):I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~0.5μm。
黄光照明,避免了光辐照后可能产生酸或产生交联。
决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄。
扩展资料
1、准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术,主要包括:特征尺寸为0.1μm的248nmKrF准分子激光技术;特征尺寸为90nm的193nmArF准分子激光技术;特征尺寸为65nm的193nmArF浸没式技术(Immersion,193i)。
2、光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
参考资料来源:百度百科—光刻
参考资料来源:百度百科—光刻胶