在半导体产业的精密构建中，光刻胶扮演着至关重要的角色，它是八大核心材料之一，其价值和影响力不容忽视。根据SEMI的数据，光刻胶和辅助材料的总价值占比已达到半导体晶圆制造材料的12%，仅次于硅片、电子特气和光掩模，位居第四。本文将深入探讨光刻胶的定义、成分、分类、产业链以及其在半导体光刻工艺中的作用，以及当前市场的发展趋势和竞争格局。
光刻胶，亦称光致抗蚀剂，是通过特定光源的照射引发化学反应的特殊薄膜材料。它的组成包括增感剂（决定感光度和分辨率的关键）、感光树脂（构筑结构的基础）、溶剂（保持液态）以及助剂（调节特定性质）。增感剂和感光树脂的性能直接影响光刻胶的性能表现。
光刻胶根据应用领域分为半导体、LCD和PCB光刻胶，其中半导体光刻胶技术要求最高。我国在PCB光刻胶领域的国产化进展较快，而在半导体光刻胶，尤其是ArF和KrF光刻胶，与国际先进水平仍有一定差距。
从上游的原材料供应到中游的制造，产业链中日本、韩国和美国占据主导，我国在光刻胶设备制造方面处于初级阶段。而在下游的半导体和显示领域，光刻胶需求随着技术升级而增长，推动着行业的持续发展。
光刻工艺经过多个精细步骤，如硅片预处理、涂布、曝光、显影等，光刻胶在其中起着图案转移的关键作用，占整个芯片制造成本的35%。光刻技术的进步对于缩小制程、提升性能至关重要。
随着半导体技术的不断推进，光刻胶市场持续增长。2021年全球市场规模预计同比增长11%，预计到2022年，我国光刻胶市场空间有望达到55亿元，ArF光刻胶占比将超过40%。
全球市场中，日本企业主导高端光刻胶市场，中国在光刻胶技术上仍面临挑战，尤其是半导体光刻胶的国产化率相对较低。国内企业如晶瑞股份、南大光电等正在努力推进ArF光刻胶的自主研发和产业化进程。