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光刻胶arf和krf
半导体设备系列-
光刻
机
答:
第三代为扫描投影式
光刻
机,光源改进为248nm的
KrF
氟化氪准分子深紫外光源,实现了跨越式发展,将最小工艺推进至150—250nm。第四代为步进式投影式光刻机,采用193nm波长的
ArF
氟化氩准分子激光光源,可实现制程推进到了65—130nm。第五代为EUV光刻机,选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源。3、...
国产芯片水平只能实现90纳米吗?
答:
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、
光刻胶
等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的
KrF和
ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。这其中还不包含芯片设计...
中国的芯片什么时候能实现国产呢?!
答:
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、
光刻胶
等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的
KrF和
ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。这其中还不包含芯片设计...
我国半导体基础差,为何还要发展半导体产业?
答:
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、
光刻胶
等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的
KrF和
ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。这其中还不包含芯片设计...
为什么国产芯片一直做不出来?
答:
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、
光刻胶
等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的
KrF和
ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。这其中还不包含芯片设计...
国产芯片能实现90纳米的生产吗?
答:
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、
光刻胶
等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的
KrF和
ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。这其中还不包含芯片设计...
为什么我们生产不出90纳米芯片?
答:
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、
光刻胶
等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的
KrF和
ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。这其中还不包含芯片设计...
光学duv是什么
答:
光学duv,主要是指波长小于i-line365nm的紫外光,一般工业上有193
arf和
248nm
krf
的的激光。用的都是化学增幅型的
光刻胶
。光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线,EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术,EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。duv光...
国产芯片能生产多少纳米
答:
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、
光刻胶
等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的
KrF和
ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。这其中还不包含芯片设计...
光刻胶
龙头企业
答:
三、南大光电 核心逻辑:
ArF光刻胶
认证通过,国产材料持续推进。南大光电主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售。公司设立光刻胶事业部,并成立了全资子公司“宁波南大光电材料有限公司”,全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”的落地实施 四、扬帆新材 ...
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