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IGBT触发方式
IGBT
是什么元件
答:
IGBT
,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上...
igbt
驱动模块工作的原理是什么
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)驱动模块的工作原理涉及到对
IGBT的
控制和驱动。以下是简要的工作原理:IGBT基本结构: IGBT是一种混合型功率半导体器件,结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和Bipolar Junction Transistor(双极晶体管)的优点。它有一个门极(类似于...
MATLAB里面
IGBT
/diode的
触发
脉冲怎么设置
答:
用脉冲发生器控制
IGBT
,短路时:幅值设置为正,IGBT导通;开路时:把幅值设置为负数,IGBT关断。其他参数设置看自己实际需要。
ABB变频器ACS800的R7和R8的AGDR是如何控制
IGBT
工作的??
答:
R7的逆变是一块大IGBT(三块连在一体的小IGBT)焊接在一块AGDR上。R8的逆变是3快R7
的IGBT
各成一相。R7的通过AINT过来的3根扁平电缆控制一块AGDR
触发
三块小IGBT,每一根线来控制触发一块小IGBT,每一快小IGBT做一相输出。R8是AINT过来3根扁平电缆控制3快AGDR,每一块大的IGBT各成一相输出。看图R7...
请问
IGBT
管与MOS管的驱动
触发
条件有什么不同或相同?
答:
IGBT是达林顿结构,MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的门槛电压(VGSth)来
触发
打开 但是由于
IGBT的
达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,MOS相对较小。相对的,IGBT的开关频率普遍较低(30~50K以下)而电流较大(可达1000A)。MOSFET的开关频率可达500K,而RMS电流普遍较低(一般不超过100A...
igbt的触发
电压能用万用表测吗
答:
IGBT的触发
是电压型的,如果触发用的不是脉冲信号的话,可以用电压表测量。
用高速脉冲指令
触发IGBT
可行吗
答:
IGBT
一般都是电平控制不是脉冲控制的。和晶闸管不同,不是脉冲
触发
的。
IGBT
驱动电路分析
答:
只要VCC和VEE的电压正确就不用担心A314J的VO端子输出电压不足(但事实上这个电路中VEE电压是0V)。C18 C19 是VCC和VEE的储能电容,D3 D4 是限制输出电压不高于VCC和不低于VEE的,R16 是驱动导通Q6 的限流电阻(阻值是根据
IGBT的
GE结电容大小和盲区时间来设定的),D7 是为了能迅速防掉IGBT的GE结...
IGBT
是什么
答:
IGBT 的
开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动
方法
和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层...
IGBT
在工作的时候的特点是什么
答:
IGBT的触发
和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较...
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