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IGBT触发方式
什么是变频器
IGBT
电路
答:
IGBT电路是负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和
IGBT的触发
电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片,根据使用IGBT模块型号,有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。
什么是变频器
IGBT
电路
答:
IGBT电路是负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和
IGBT的触发
电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片,根据使用IGBT模块型号,有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。
咋样检测
IGBT
?
答:
皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断
IGBT 的
好坏。此
方法
同 样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。功率 场效应管 直流参数 分选仪 主要用于中小 电子产品 ...
怎样判断
IGBT
管的好坏?怎么检测它的引脚?
答:
此时即可判断IGBT是好的。3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT 注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断
IGBT的
好坏。此
方法
同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。 逆变器IGBT模块...
什么是
IGBT的
自锁效应啊?
答:
擎住效应,在
IGBT
内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻,P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降,相当于对J3结施加一个正向偏压,在额定集电极电流范围内,这个偏压很小,不足以使J3开通,然而一旦J3开通,...
绝缘栅双极晶体管
的IGBT 的
工作特性
答:
IGBT 的
静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下
的IGBT
...
IGBT
怎么判断好坏。
答:
将万用表拨在rt10ko挡,用黑表笔接
igbt 的
集电极(c),红表笔接igbt 的发射极(e),此时万用表的指针在零位,用手指同时触及一下栅极(g)和集电极(c),这时igbt 被
触发
导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(g)和发射极(e),这时igbt ...
IGBT
主要技术参数!
答:
在
IGBT
处于正偏压期间,这些电荷被注入到N区,这是IGBT与MOSFET开关对比最不利特性之主要原因。降低这种有害现象有多种
方式
。例如,可以降低导通期间从P+基片注入的空穴数量的百分比,同时,通过提高掺杂质水平和缓冲层厚度,来提高重组速度。由于VCE(sat) 增高和潜在的闩锁问题,这种排除空穴的做法会降低电流的处理能力。
IGBT
具体用途哪里?
答:
在
IGBT
处于正偏压期间,这些电荷被注入到N区,这是IGBT与MOSFET开关对比最不利特性之主要原因。降低这种有害现象有多种
方式
。例如,可以降低导通期间从P+基片注入的空穴数量的百分比,同时,通过提高掺杂质水平和缓冲层厚度,来提高重组速度。由于VCE(sat) 增高和潜在的闩锁问题,这种排除空穴的做法会降低电流的处理能力。
IGBT
能一直保持导通吗
答:
IGBT的
驱动其实就是对门极电容的充放电的过程。在IGBT的G、E之间有一个输入电容,开通的时候需要给电容充电,到达开启电压就开通。关断的时候需要给电容放电或者说是抽电,使电容电压下降到开启电压以下。一般为了确保IGBT的可靠开通关断,常用驱动电压为+15V和—8V。你只给门极充电,没有经过放电的电容...
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