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IGBT触发方式
igbt
模块怎么检测
答:
此时即可判断IGBT是好的。3、检测注意事项。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断
IGBT的
好坏。此
方法
同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
请问
IGBT
、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点
答:
答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,
IGBT的
驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止...
igbt
怎么测量好坏
答:
一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断
IGBT的
好坏。此
方法
同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的漏极(D),红表笔接IGBT的源极(S),此时万用表的指针。
MOSFET与
IGBT
每部构造的区别?
答:
IGBT的
驱动
方法
和MOSFET基本相同,只需控制输入极 N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。 工作特性
IGBT 的
静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指...
变频器
IGBT
和IGCT的区别在哪里
答:
另外,通过模块封装
方式
还可提供众多派生产品,在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。 日本东芝开发的IECT利用了“电子注入增强效应”,使之兼有
IGBT
和GTO两者的优点:低饱和压降,宽安全工作区(吸收回路容量仅为GTO的1/10左右),低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率,如图3所示。器...
怎么用数字式万用表测量
igbt
模块的好坏
答:
此时即可判断IGBT是好的。3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT 注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断
IGBT的
好坏。此
方法
同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。逆变器IGBT模块检测...
LS变频器iGB丅短路什么意?
答:
变频器 二、IGBT好坏判断 将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接
IGBT 的
集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被
触发
导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G...
影响G80N60输出的是什么,怎么影响的
答:
IGBT的触发
和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGB...
IGBT
示波器能
触发
,但是没有触开,具体就是示波器可以检测到触发波形,但...
答:
是不是电流太小了,把检测电流,通过检测电阻电压看看
怎样测量
IGBT
好坏,IGBT模块测量数据是多少
答:
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡,因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断
IGBT的
好坏。此
方法
同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。如果IGBT为好的,IGBT模块测量...
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