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IGBT触发方式
IGBT
是什么元件
答:
IGBT
,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上...
什么是
IGBT
,其工作的原理是什么?
视频时间 13:38
可控硅、MOSFET、
IGBT
、GTO是电压
触发
还是电流触发,它们在作用上有什么...
答:
可控硅、GTO是电流
触发
,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。MOSFET和
IGBT
是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。它们共同...
可控硅、MOSFET、
IGBT
、GTO是电压
触发
还是电流触发,它们在作用上有什么...
答:
可控硅、GTO是电流
触发
,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。MOSFET和
IGBT
是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。它们共同...
请回
IGBT
管与MOS管的驱动
触发
条件有什么不同
答:
IGBT是达林顿结构,MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的门槛电压(VGSth)来
触发
打开 但是由于
IGBT的
达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,MOS相对较小。相对的,IGBT的开关频率普遍较低(30~50K以下)而电流较大(可达1000A)。MOSFET的开关频率可达500K,而RMS电流普遍较低(一般不超过100A...
IGBT
、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点?
答:
V2—L—GTO\x0d\x0a反向关断:C4放电—关断GTO—门级—L—V3\x0d\x0a剩下三种推到
方法
类似...\x0d\x0a2GTR:图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成,主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制
触发
电路\x0d\x0a3MOSFET和
IGBT
都是电压驱动器件,要求驱动电路有较小的输出电阻。
IGBT
通过电流与驱动电流有什么关系?
答:
3. 驱动电路设计:驱动电路的设计需要考虑到
IGBT的
规格,以提供适当的电流和电压。这通常包括选用适当的门极驱动器、电源电路以及与IGBT的连接
方式
。4. 电流保护:控制IGBT的电流非常关键,因为过大的电流可能损坏器件。因此,电流传感器和保护电路通常用于监测和限制IGBT的电流。驱动电流是控制IGBT的开关操作...
IGBT
在关断的时候,出现这个波形,是怎么回事
答:
IGBT的触发
和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较...
IGBT
、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点?
答:
正向:C3放电—R1—V1(
触发
导通)—L—触发GTO C1放电—R2—V2—L—GTO 反向关断:C4放电 —关断GTO—门级—L—V3 剩下三种推到
方法
类似...2 GTR: 图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成,主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路 3 MOSFET和
IGBT
都是电压驱动器件,要求驱动...
is5变频器中
的IGBT
是什么
答:
IGBT是变频器的核心器件,作用是将直流变为交流供电机使用。IGBT电路是负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和
IGBT的触发
电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片,根据使用IGBT模块型号,有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar ...
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