请问IGBT管与MOS管的驱动触发条件有什么不同或相同?

如题所述

推荐答案推荐于2017-09-12

IGBT是达林顿结构，MOS不是。
IGBT和MOS都需要一定的门槛电压（VGSth）来触发打开
但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大，故需要一定的门极驱动能力，MOS相对较小。
相对的，IGBT的开关频率普遍较低（30~50K以下）而电流较大（可达1000A）。
MOSFET的开关频率可达500K，而RMS电流普遍较低（一般不超过100A）

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第1个回答 2019-05-25

不太理解你的问题的意思啊。驱动电路能进行受控的开和关，这样就能对mos管中的id电流进行调制，另外mos管开通和关断都需要进行充电和放电（虽然mos是电压驱动型器件，但由于结容的存在，需要对这些电容充电才能有驱动电压），这都需要电流，电流就是由驱动电路提供的，除此之外你还想问什么？

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