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mos管漏电流怎么解决
MOS管漏
极
漏电流
是多少
答:
μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是
MOS管
的阈值电压。这个公式的详细解释如下:
漏
极
电流
(ID)是MOS管中的电子流,取决于沟道的尺寸(W 和 L)以及施加在栅极和源极之间的电压(VGS...
mos管漏
极
电流
公式
答:
MOSFETS饱和时候的
漏
极
电流
公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
mos管漏
极的
电流怎么
计算?
答:
MOSFETS饱和时候的
漏
极
电流
公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
怎么
用示波器测流过
mos管电流
答:
用示波器测流过
mos管电流
方法。1、将探头地线绕在承载待测电流的导线上,然后将接地夹连接到探头尖端。2、产生的电压再次与电流的变化率成正比测量。
为什么在
MOS管
的沟道被夹断后
电流
还是增大?
答:
在一定程度上增长的很慢,直到发生击穿。再回答一个问题——NMOS晶体管在沟道夹断饱和区后,继续增加
漏
源电压(VDS)后,有效沟道区两端的压降为什么仍保持为VDsat?因为沟道和夹断点到漏端的耗尽区都有电阻,它们根据比例分担漏源两端的电压,而流过它们的
电流
是之前说的饱和电流,所以你知道了哈 ...
MOS
的源极和漏极有什么区别?
答:
1、
电流
流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在
漏
、源极间加上正向电压,N区中的多子(也就是电子)可以导电。它们从源极S出发,流向漏极D。2、作用不同。电流方向由D指向S,称为漏极电流ID.。由于导电沟道是N型的,故称为N沟道结型场效应管。场效应管(包括结型和绝缘...
MOS管
DS间有寄生二极管,
如何
测试BVDSS
答:
不是好多mos有反向二极管,而是大部分都有。测BVdss,不管有没有二极管,测试都是一样的。ID=1mA , Vclamp=600V,就是Device GS short,Vd电压从0-600V 往上加,
mos管
DS有电压,就会有
漏电流
,只是电压低时,电流太小,pA级,或者测不到,随着电压越来越高,漏电流也越来越大,当漏电流...
mos管
源极
漏
极
电流
相不相等?
答:
必定相等。
MOS管
不是
电流
放大器件,谈不上放大电流,所以在它的手册中也找不到电流放大参量(只有“互导“参量)。它是用电压控制电流,只要输入一定电压,不需要控制电流,就像交通灯可以控制汽车的流量,自己却不需要流动。如果用警车去引导车流,一辆警车引导50辆车,自己是要流动的,这就是50倍的...
MOS管
特性,包括
电流
流向,沟道开启条件
答:
MOS管
的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时
漏
极
电流
也为零的管子,均属于增强...
如何
详细解释
MOS
保护的原理?
答:
随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从
漏
极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极
电流
ID。国产N沟道
MOSFET
的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚...
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