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mos管漏电流怎么解决
MOS管
的过驱动电压及阈值电压是多少?
答:
阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8,过驱动电压为Vgs减Vth。
MOS管
,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压,MOSFET的...
为什么
MOS管
开关频率越高
电流
反越小啊
答:
因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的
电流
有一个上升的过程,在这段时间内,
MOS管
的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。这一现象明显说明变压器的初级电感很大,开关变压器的工作频率通常工作在20KHz以上,使用PWM调制控制输出电压,...
TVS管的
漏电流
越小越好还是越大越好?
答:
TVS管的
漏电流
越小越好。漏电流指标关系到被保护系统的正常运行,也关系到器件自身的老化和性能衰减。
目前
mos管
最小沟道长度能做到多少,集成电路工作电压是多少,pn结反偏时...
答:
10纳米,不过现代cmos已经是finfet了,属于3D结构。明年或者后年,三星和TSMC要试产7纳米了。核心工作电压很低,只有0点几伏了,为了降低功耗。
漏电
是由于势垒电压增加引起的少子导电引起的。
MOS管
中Vgs是什么意思
答:
当未形成反型沟道时,都处于截止区,其电压条件是:|VGS|>|VTP (PMOS)|,值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
MOS
场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路 。
增强型
mosfet
串联,都处于截止状态是
怎么
分压的
答:
假设是NMOS串联,并且上A管下B管,A管B管栅极、衬底都接地保证截止。理想情况下:处于截至状态的
MOS管
,源漏两端都被各自PN结产生的耗尽区所包围而隔离,没有
电流
能够通过。加载在A
管漏
端的电压,会全部落在A管漏区的PN结的耗尽区中,传导不到A管源极。因此它们没有分压,因为电场线从A管漏极->...
mos
晶体管的
MOS
晶体管 - MOS晶体管
答:
以上的讨论,都有一个前提条件,即当VGS=0时没有导电沟道,只有当施加在栅上的电压绝对值大于器件的阈值电压的绝对值时,器件才开始导通,在
漏
源电压的作用下,才能形成漏源
电流
。以这种方式工作的
MOS
器件被称为增强型(enhancement mode),又称常关闭型(normally-off) MOS晶体管。所以,上面介绍的是...
沉浸式光刻技术的沉浸式光刻的难点与挑战
答:
对于AMD为什么到现在都没有使用High-K,很多朋友们都存在疑问,其实这得益于AMD自Athlon时代就开始使用的SOI工艺。SOI是Silicon On Isolator的缩写,即绝缘体上的硅技术。和传统的纯硅晶圆不同,SOI工艺使用的晶圆底部是一层绝缘层。这层绝缘体切断了上方
MOS管漏电流
的回路,使得基于SOI技术的芯片能够轻松...
用P
MOS管
做开关控制3.3V电源,单片机的IO口接G极,输出的电平出现2V的波 ...
答:
参考这个电路图《带软开启功能的
MOS管
电源开关电路》:带软开启功能的MOS管电源开关电路
电脑中CMOS是啥意思?
答:
TTL电路有集电极开路OC门,
MOS管
也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有
漏电流
输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC...
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