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mos管漏电流怎么解决
P
MOS管
电路无法关断电源的问题?
答:
电子开关和继电器之类的开关不一样,不能物理切断,管子关断的时候都有
漏电流
,加在100K电阻上肯定会有压降的,带实际负载或着把电阻换小就没问题了。 追问 是否还和电压供电有关呢,3.3V能否正常工作谢谢 追答 与电压关系不大,我一次使用MICREL的稳压模块,空载电压明显很高,后来仔细看手册,要求输出端接1K左右电阻,...
MOS管子
工作在恒流区时,导电沟道被夹断,沟道都被夹断了,此时为何还有电 ...
答:
在一定程度上增长的很慢,直到发生击穿。再回答一个问题——NMOS晶体管在沟道夹断饱和区后,继续增加
漏
源电压(VDS)后,有效沟道区两端的压降为什么仍保持为VDsat?因为沟道和夹断点到漏端的耗尽区都有电阻,它们根据比例分担漏源两端的电压,而流过它们的
电流
是之前说的饱和电流,所以你知道了哈 ...
晶体管中什么原因引起
漏电流
?
答:
PN结理论上反向工作的时候是完全截止的,而实际上还存在极少量的
电流
(uA级或更小),这个电流的方向是从N区到P区,大小跟PN结工艺很有关系。应用这个原理,在三极管中,即便是三极管截止的时候,CE之间也存在微小电流,并不是完全截止。从C到E,简单的说就是三极管难以完全关断,这个问题在
MOS管
上也...
为什么会有
漏
极到衬底的
电流
MOSFET
答:
以N沟道MOSFET为例,正常工作的时候漏极电位最高,N型漏极区与P型衬底处于反向截止状态,可能会存在微小的反向漂移电流,但这几乎是可以忽略不计的。另外由于集成电路制作工艺的限制,在
MOS管
各极之间及内部会有寄生电容等寄生效应产生,也会导致一定的
漏电流
产生,不过在中频的时候一般工程应用中都忽略了...
为什么钠离子和氯离子会使
mos管漏电
偏大
答:
氯离子的吸附和钠离子的迁移。氯离子在
MOS管
的表面吸附,形成氯化物层,这会导致氯离子在漏极和栅极之间形成导电通道,增加了
漏电流
的路径,使漏电偏大;钠离子在MOS管中发生迁移,并在氧化物层中形成电荷积累,这会导致氧化物层中的电荷密度增加,从而增加了漏电流。
mos管
通过电压对栏极进行控制开关,但是需要的
电流
是多少哪?
答:
MOS管
是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启。在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的。沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但实际上由于栅极有
漏电流
存在,往往需要保持一个稳态的栅源电压,但这个漏电流通常uA级,与BJT...
请问控制电机
MOS管
,为什么上桥管导通瞬间,下桥管也有个上升沿脉冲,
怎么
...
答:
MOS管
开通瞬间,由于导通内阻极小,故会产生很大的di/dt,即类似尖峰脉冲.对下桥产生干扰.一般的
解决
方法是增加续流二极管和高频电容以提供尖峰
电流
世放回路.再就是在电路设计上加强抗干扰能力
...驱动电路来控制48VDC电压的通断,采用IRF3810
mos管
答:
对于场效应管的输入阻抗来说,光耦关断时的
漏电流
足以使它导通,你应该在场效应管的控制极接一只下偏置电阻才行,因为光耦不管是导通还是截止对场效应管来说都是导通状态,在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了,取值以光耦导通时的分压足以使场效应管导通,关断时又可以将电压置于接近零为准,哦...
栅极
漏电流
什么量级
答:
接下来,我们增大
漏
极(集电极)偏置
电流
,会有
怎样
的结果呢?从前面的分析,可以预测:对于 Bipolar三极管,单位集电极偏置电流下的跨导不随集电极偏置电流的变化而变化,而
MOS管
的单位漏极偏置电流下的跨导随着栅极偏置电压的升高而降低。那么是否与理论预测的趋势相符呢?图8 更改偏置后的共源(共射)放大器图9 更改偏置后...
mos管
,当Vds过大时,漏极区下面的通道截止,
怎么
还会有
电流
答:
这个要考虑到隧道效应的,虽然被夹断,但是由于导代价带的势垒变化没有vds作用大,故会
电流
变大,不过变化很小很小奥 半导体物理 知识
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