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mos管漏电流怎么解决
电路输出低电平电流和输出低电平
漏电流
有区别吗?
答:
8、TTL电路有集电极开路OC门,
MOS管
也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有
漏电流
输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三极管截止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 0,而是约0。而这个就...
关于增强型
mos管
(N沟道)的一些问题
答:
1. 源极和衬底连接是
MOS管
的一种用法。两者相连时相当于pn结(衬底-源)上接零电压,pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡,pn结上总
电流
为零。2. 栅源不加电压时,沟道不开启,不会有
漏
源电流。漏-衬底-源寄生三极管无电流的原因是:在正常工作条件下,衬底(寄生三极管基区)电势最低,因此寄生三极管...
N沟道
MOS管
截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复...
答:
由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压。在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让
MOS管
的DS持续保持导通。如果电压过高,栅极可能击穿损坏。在测量DS时候,最好将G与S短接,或者GS之间...
mos管
工作原理
答:
VDS)和
漏电流
(ID)之间。栅极端子处的少量电压将控制流过通道的电流。在漏极和源极之间形成的沟道将充当良导体,在栅极端子处具有零偏置电压。如果向栅极施加正电压,则沟道宽度和漏极电流会增加,而当我们向栅极施加负电压时,它们会减小。以上内容参考百度百科-
mos管
...
光
mos
继电器低温失效
答:
光mos继电器低温失效的原因和采取措施如下:1、温度效应:光MOS继电器中的
MOS管
受温度影响较大,当温度降低时,MOS管的导通能力会下降,从而导致继电器失效。2、
漏电流
增加:低温环境下,光MOS继电器的漏电流会增加,这会影响光MOS继电器的工作效果。3、冷却时间:光MOS继电器在低温环境下冷却时间会变长,...
三极管的
漏电流
是指什么
答:
三极管的
漏电流
就是值半导体PN结在截止时流过的很微小的电流。在D-S设在正向偏置,G-S反向偏置,导电沟道打开后,D到S才会有电流流过。但实际上由于自由电子的存在,自由电子的附着在SIO2和N+、导致D-S有漏电流。
电路中
MOS管
损坏问题
答:
你好:——★1、
MOS管
属于电压控制器件,它的输入阻抗非常高,很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★2、请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护,可以把感应静电限制、消除。因为MOS管属于电压控制器件,100K电阻不影响MOS管的开关状态。
MOS管
导通
漏
极
电流
与什么有关
答:
漏
极
电流
Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。以N沟道增强型
MOS管
为例:当Vgs一定时,Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象;当Vgs>Vgsth增加时,Id也随之呈增大趋势。以上是宏观特性,其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本,根据其自身特性...
mos管漏电流
一般多大
答:
0.2微安至3微安。根据查询电子发烧友网显示,理想的
mos
晶体管不应该有任何电流流入衬底或阱中,当晶体管关闭的时候不应该存在任何的电流,但是现实中
MOS
却存在各种不同的
漏电流
,漏电流在0.2微安至3微安之间。
mos管如何
关断?
答:
MOS管
的完全关断很不容易,你这样肯定不行,形式上关断后,
漏电流
足够点亮LED了。如果想比较好的关断,需要用到负电压。
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