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（1）Vbe=0.7V Vce（sat）=0.2V，Hfe=1000，求Ib，Ic，Vout （2）若R3=1Ω，求Ib，Ic，Vout 给出解题过程
如题所述
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相似回答
三极管c90149014三极管参数
答：
在饱和状态下，集电极发射极压降
(VCE(sat))
: 0.3V, 当IC为100mA, IB为5mA时。 基极发射极饱和压降
(VBE(
sat)):
1V,
同样在
IC=
100mA,
IB=
5mA的条件下。 特征频率 (fT): 150MHz。 电流放大系数范围
(HFE)
: A=60~150, B=100~300, C=200~600, D=400~
1000
。这款三极管主要...
开关三极管是怎么工作而实现开关功能?
答：
region)。三极管是以b 极电流ib 作为输入，操控整个三极管的工作状态。若三极管是在截止区
，ib
趋近于0 (vbe 亦趋近于0)，c 极与e 极间约呈断路状态
，ic
= 0
，vce
= vcc。若三极管是在线性区，b-e 接面为顺向偏压，b-c 接面为逆向偏压，ib 的值适中
(vbe = 0.7 v)，i c
=h f
...
三极管的参数是哪些?
答：
(2)
集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路
(Ib=
0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压
Vce
时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo
=(1
+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集...
三级管的
Vce(sat)
、
Vbe(
sat)、
HFE
这三个参数可以提供了三级管哪些信息呢...
答：
HFE
是共射条件下H参数模型正向导通时的电流增益 Vce(sat)：Ic的产生与CE两极之间的电场强度有关，由于电子在半导体中的运动有限，当Vce增大到一定程度以后
，Ic
不再增加，也就是进入了饱和区，继续增大Vce，会导致击穿。在这里
，Vce(sat)
是指达到饱和区所需的CE间最小电压值。
Vbe(
sat)：BE间的电压...
逆变器的推动电路是怎样的工作原理
答：
1.车载逆变器电路工作原理图1电路中,由芯片
IC1
及其外围电路、三极管VT1、VT三、MOS功率管VT2、VT4以及变压器T1组成12V直流变换为220V/50kHz交流的逆变电路由芯片
IC2
及其外围电路、三极管VT5、VT八、MOS功率管VT6、VT7、VT9、VT10以及220V/50kHz整流、滤波电路VD5-VD八、C12等共同组成220V/50kHz高频交流电变换为...
晶体三极管文献综述
答：
由于
VBE
很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流
IC=
β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为
VCE=
5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流
ib,
在...
康佳p3460T数字高清板上贴片三极管1GP用什么管代换
答：
1. VCEO >= 40V (集极崩溃电压)2.
VBE
O >= 6V (基极崩溃电压)3. VBE
(sat)
<
= 0.7V
(基极饱和电压)4.
Hfe
(一
称beta) >= 500 (电流增益倍率, 集极电流
Ic=2
mA, 集极电压
Vce=
5V)5. Ft >= 100MHz (小信号放大频率, 集极电流Ic=10mA, 集极电压Vce=5V)
9014三极管的特征频率是多少
答：
集电极发射极饱和压降
VCE(sat)=
0.3V(IC=100mA；
IB=
5mA)；基极发射极饱和压降
VBE(
sat
)=1V(IC=
100mA；IB=5mA)；特征频率fT=150MHz；
HFE
：A=60~150；B=100~300；C=200~600；D=400~
1000
。更多关于9014三极管的特征频率是多少，进入：https://www.abcgonglue.com/ask/eb8a091615822365.html?
为什么三极管中在考虑反向饱和电流I CBO的影响时,β表示的各极电流关系...
答：
因为发射极的浓度比集电级的浓度高，电荷从集电级逆向到发射极十分困难。现在工艺的三极管Icbq基本可以忽略不计，几十年前必须考虑，因为温度升高对Icbq影响很大，会造成集电级电流Ic增大
，Ic
增大温度又升高，又恶性循环，造成不稳定。晚了一年多才回答，有缘留给以后的读者，如有错误请指正....
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