三极管的参数是哪些？

Question

如题所述

Answer 1

三极管的参数解释
λ---光谱半宽度
VF---正向压降差
Vz---稳压范围电压增量
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长

Answer 2

1、直流参数
(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.
(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.
(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.
(4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:
β1=Ic/Ib

2、交流参数
(1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.
(2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:
α=△Ic/△Ie
因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用
α与β之间的关系:
α= β/(1+β)
β= α/(1-α)≈1/(1-α)
(3)截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:
fβ≈(1-α)fα
(4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.
3、极限参数
(1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.
(2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.
(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.
(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.
(5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc<PCM.
PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.

Answer 3

+++原则上两个不能互换,应急时可以试用++
MJE 系列晶体管系列晶体管 MJE13007系列晶体管系列晶体管
●●应用应用:节能灯节能灯 电子镇流电子镇流 电子变压电子变压 开关电源开关●最大额定值●最大额定值 （（Tc=25°°C )● TO-220
参数 符号 额定值 单位
基极电压 VCBO 700 V
集电极-发射极电压 VCEO 400 V
集电极IC 8.0 A
集电极耗散功率 PC 90 W
最高工作温度 Tj 150 °C
贮存温度 Tstg -65-150 °C ●电特性●电特性 （（Tc=25°°C）
参数名称 符号 测试条件 最小值 最大值 单位
CHARACTERISTICS SYMBOL TEST CONDITION MIN MAX UNIT
集电极-基极截止电流ICBO VCB=700V 100 μA
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流 I V =400V,I =0 250 μA
Collector-Emitter Cutoff Current CEO CE B 集电极-发射极电压 V I =10mA,I =0 400 V
发射极 -基极电压 V I =1mA,I =0 9 V
Emitter- Base Voltage EBO E C 集电极-发射极饱和电压 I =2.0A,I =0.4A 0.4
C B
Collector-Emitter Saturation Vcesat V
I =8.0A,I =2.0A 1.5
Voltage C B
发射极-基极饱和电压 Vbesat I =2A,I =0.4A 1.5 V
Base-Emitter Saturation Voltage C B V =5V,I =10mA 7 CE C
电流放大倍数 h V =5V,I =2.0A 10 40
DC Current Gain FE CE C V =5V,I =8A 5 CE C 贮存时 tS 4.0 9.0
Storage Time V =5V,I =0.5A CC C μS
下降时 (UI9600) tf 0.8本回答被网友采纳

Answer 4

直流参数，交流参数，极限参数

Answer 5

三极管的参数简介。