为什么三极管中在考虑反向饱和电流I CBO的影响时,β表示的各极电流关系是这样?

如题所述

考虑反向饱和电流
基极电流:Ib-Icbq
发射极电流:(1+β)Ib+β'Icbq
集电级电流=发射极电流-基极电流=βIb+(1+β')Icbq
实际上β'不是β,β'比β小很多,因为发射极的浓度比集电级的浓度高,电荷从集电级逆向到发射极十分困难。
现在工艺的三极管Icbq基本可以忽略不计,几十年前必须考虑,因为温度升高对Icbq影响很大,会造成集电级电流Ic增大,Ic增大温度又升高,又恶性循环,造成不稳定。
晚了一年多才回答,有缘留给以后的读者,
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第1个回答  2018-05-03
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:300
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1A
功耗:350mW
器件标记:BT3904
噪声因子(NF), 最大:5dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:350mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V本回答被网友采纳
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