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关于可关断晶闸管GTO的问题
书上说GTO是要通过在门极施加负的脉冲(注意是负的!)电流使其关断,但实验中是GTO门极的电压升高到某一值就导通了,而后把电压又降到这个值GTO又关断了,这是为什么呢?
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第1个回答 2014-05-11
大概是负载太轻了,也就是说阳极的电压电流太小,还没有使GTO进饱和导通状态。而是在线性区,类似于普通晶体管的工作状态(你误认为GTO导通了),所以门极电压下降到一定值就关断了,总之不是型号不对就是测试方法有问题。
用专业术语讲就是,阳极的电压电流小于维持值,这个所谓的导通不是真正的导通。
正确的测试方法是阳极的电压远大于GTO的饱和压降,阳极的电流在数百毫安以上。门极的电压电流也应该大于手册上给出的值。本回答被提问者采纳
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gto
为什么不能自
关断
?
答:
GTO
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可关断晶闸管的
门极上加负向触发信号后,通态电流开始下降,使管子不能维持内部...
为什么
GTO
可以
关断
普通
晶闸管
而不能呢?
答:
2.GTO 之所以能够自行
关断
,而普通
晶闸管
不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:1) GTO 在设计时2 a 较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO 关断;2) GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1,普通晶闸管1 a + 2 a 3?1.15,而GTO 则为1 a + 2 a ?1.05,
GTO 的
...
门极
可关断晶闸管的GTO
与普通晶闸管的不同
答:
1)在设计器件时使a2较大,这样晶体管V2控制灵敏,这样GTO可以很容易关断。2)使得a1+a2趋向与1,普通
晶闸管
a1+a2>=1.15,而
GTO的
近似为1.05,这样GTO导通时饱和程度不深,更接近与临界饱和,为门极
可关断
控制提供了有力条件。不利因素,导通是管压降增大了。3)集成结构中每个GTO单元的阴极面积小...
GTO
与普通
晶闸管
相比为什么可以自
关断
?
答:
GTO
(Gate Turn-Off Thyristor,自
关断晶闸管
)相对于普通晶闸管(也称为SCR,Silicon Controlled Rectifier)具有自关断功能,这是因为它在结构上有一些不同之处,允许控制器以适当的方式关闭电流。以下是GTO相对于SCR的主要区别,解释了为什么GTO可以自关断:1. Gate控制:GTO具有额外的门电极,通常称为...
可关断晶闸管
(
GTO
)和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么可关断晶闸管能自行...
答:
GTO
是由很多个小SCR集成起来的,GTO每个微元都是微饱和状态,很容易退出饱和。
为什么
gto
能够自
关断
,而普通
晶闸管
不能
答:
GTO
具备了较高的控制能力和特殊的结构设计。在GTO中,引入了一个额外的关断极(C2),使得在关断时可以通过控制极(G)施加一个负向脉冲,使C2极的电压增加,从而导致GTO自动关断。这种设计使得GTO具有主动
关断的
能力。而普通
晶闸管
只有控制极(G)和主极(A),没有关断极(C2),无法实现自关断。GTO...
gto
是什么器件,为什么要用gto?
答:
GTO
是
可关断晶闸管
(Gate-Turn-Off Thyristor)的简称。它具有普通晶闸管的全部优点,如耐压高,电流大等。同时它又是全控型器件,即在门极正脉冲电流触发下导通,在负脉冲电流触发下关断。GTO与普通晶闸管的相同点在于:都是PNPN四层半导体结构,外部引出阳极,阴极和门极。GTO与普通晶闸管的不同点在于:...
门极
可关断晶闸管
的
GTO的
主要参数
答:
(1)最大
可关断
阳极电流IATO(2)电流关断增益βOff=IATO/IGMIGM是门极负脉冲电流最大值 βOff一般只有5左右这是
GTO的
主要缺点(3)开通时间Ton 开通时间指延迟时间与上升时间之和.GTO的延迟时间一般为1~2us,上升时间则随同态阳极电流值的增大而增大。(4)关断时间Toff 关断时间指存储时间与下降时间...
什么是
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答:
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(
GTO
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