1.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得， 1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。1 a + 2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通； 1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。
2.GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：
1) GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；
2) GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3?1.15，而GTO 则为1 a + 2 a ?1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；
3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
3.实现关断的要点在于：
（1）通过功能集成使晶闸管导通时处于临界饱和状态，便于退出饱和状态；
（2）通过功能集成将关断过程分解为多个关断过程的集合（可理解为关断n个小电流的晶闸管）。
拓展资料：
1.晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
2.晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
3.晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。1957年，美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品，并于1958年使其商业化。
参考资料：百度百科：晶闸管