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高功率器件
GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子
元件
,试给出各元件的主要...
答:
电压、电流容量大,适用于大
功率
场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动...
gtr是什么
元器件
答:
是智能
功率
模块。是一种先进的功率开关
器件
,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠,缩短了系统开发时间,也提高了故障下的自保护能力。IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的...
微波炉:热与凉的背后
答:
微波炉利用高频电磁波的力量,让食物在瞬间加热。当食物在微波炉中吸收微波,它的分子就会跃动起来,摩擦出热量,速度快得惊人。️导热小能手微波炉内部藏着一些导热小能手,比如金属部件和导线。它们在微波的魔法下,也会舞动起来,产生热量,让微波炉变热。此外,微波炉作为
高功率
的代表,其电子
元器件
运行时也会散发...
功率器件
的损坏机理(六)---IGBT的短路和过电流
答:
新一代IGBT的短路电流限制更低,结合高掺杂p阱,其电阻极低,提高了应对短路的能力。尽管BT
器件
的短路强度强大,但随着技术进步,对短路脉冲关闭时间的限制逐渐提升。中压IGBT在高温下承受反复短路高达一万次,而1200V IGBT的热容量减少,对热能吸收更为敏感。高压IGBT的短路限制主要受制于温度,不适用于...
GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子
元件
,试给出各元件的主要...
答:
GTO 电压、电流容量大,适用于大
功率
场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流...
大
功率
的电子
元器件
应用在什么地方
答:
电源 变压 主要是供电前端的应用。
功率器件
在工作中有损耗吗?
答:
电力电子
器件功率
损耗主要为通态损耗。1、电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗。 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。2、另外,si的二极管有反向恢复损耗,sic SBD没有二极管的反向恢复损耗。在zvs的时候没有开通损耗,zcs...
解释电力电子
器件
si产品和sic的区别
答:
与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能。相比于Si器件,SiC
功率器件
的优势:作为一种宽禁带半导体材料,SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好,还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等...
什么是半导体
功率器件
?
答:
给个数量吧,电压处理范围从几十V~几千V,电流能力最高可达几千A。典型的
功率
处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。早期的功率半导体
器件
:大功率二极管、晶闸管等等,主要用于工业和电力系统(正因如此,早期才被称为电力电子器件)后来,随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展,...
氮化镓有哪些特点?可以制造哪些
器件
?
答:
氮化镓产品已经走进了我们生活中,在充电器中的应用也逐步布局开来。氮化镓是目前全球最快
功率
开关
器件
之一,并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平,能够应用于更小的变压器,让充电器可以有效缩小产品尺寸。比如导入USB PD快充参考设计,使目前常见的45W适配器设计可以采用30W或更小的外形设计。
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