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影响mosfet阈值电压的因素
MOSFET
导通
电压
是多少?
答:
不同的器件导通
电压
不同,一般高压器件在7-10V之间,低压器件3-6V之间,低内阻器件还会更低。
mosfet 阈值电压
答:
阈值电压
: Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态,是器件由耗尽向反型转变时,是处于临界导通状态。正如你说“根本不需要表面电子浓度大于体内空穴浓度 ”这样
MOS器件
就不能反型,不能形成沟道,无法正常工作。第二个能带图的理解问题,我回答不了,能力有限 ...
vth
是什么
意思
答:
vth是MOSFET器件上的
阈值电压
,它是指在引脚之间加入足够的电压时形成的通道。这种通道可形成一个连接源极和漏极的“管子”,使其在哪些情况下可以通过电流。vth值与
MOSFET的
制造过程有关,因此不同厂家的MOSFET可能具有不同的vth值。vth通常用于评估MOSFET的开启特性和指导其设计,以最大化其性能。vth...
SOI
MOSFET
器件为什么加负的背栅压,耗尽层会展宽
答:
衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件
阈值电压的影响
传统
mosfet
芯片esd损坏
电压阈值
是
答:
该芯片ESD损坏
电压阈值
是1000V。在集成电路中,由于芯片上不同部分之间的电压差较大,因此需要有一个
阈值电压
来确保芯片的安全运行。当ESD静电放电电压超过这个阈值电压时,可能会对芯片造成损坏。因此,为了保护
MOSFET
芯片不受ESD静电放电的
影响
,规定了ESD保护电路的HBM(Human Body Model)放电模型静电放电...
衬底偏压效应的衬偏效应对器件性能的
影响
答:
而
阈值电压的
升高又将进一步
影响
到器件的IDS及其整个的性能,例如栅极跨导降低等。衬底掺杂浓度越高,衬偏电压所引起的空间电荷面密度的增加就越多,则衬偏效应越显著。例如,p阱-CMOS中的n-MOSFET,它的衬偏效应就要比p-
MOSFET的
严重得多。②由于衬偏电压将使场感应结的耗尽层厚度展宽、空间电荷面密度...
为什么要对SiC
MOSFET
进行负压驱动?
答:
以下是具体的几个理由:1. 防止误动作:SiC
MOSFET
和常规的Si(硅)MOSFET相比,其门氧化层电容更小,导致更容易受到干扰,如电源器的中电平间歇性破裂或其他高频干扰等,可能会导致误动作。采用负压驱动可以有效防止这种误动作。2. 提高
阈值电压
:当SiC MOSFET在高温和高电压条件下工作时,若阈值电压较...
如何选择
MOSFET的
参数?
答:
影响MOSFET
在缓启动和防反接应用中效率的主要指标包括:
电压
等级、导通电阻、栅极电荷和优值系数、额定电流和功率耗散。1、电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性
的因素
,即漏源击穿电压(VDS)。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。需要注意的是VDS...
MOSFET
栅极驱动电路应用说明
答:
MOSFET的
导通与截止由栅极电压决定,与双极晶体管不同,栅极电压只有在超过
阈值电压
Vth时才开启。实际上,栅极并无持续电流通过,仅在电压切换瞬间产生极小的电流。1.2 特性解读 得益于无须持续电流的特性,MOSFET驱动功耗极低。栅极电荷Qg作为电容效应,其大小
影响
驱动效果。计算公式:Qg = 电流 × 时间...
mos管阈值电压
对噪声容限的
影响
大吗
答:
大。在MOSFET放大器中,输出噪声与
MOSFET的阈值电压
相关,当阈值电压发生变化时,输出噪声也会随之变化,所以
mos管阈值电压
对噪声容限的
影响
大。阈值电压:通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
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