99问答网
所有问题
当前搜索:
影响mosfet阈值电压的因素
饱和区电流公式
答:
该公式是I=0.5*k*(W/L)*(Vgs - Vth)^2。I表示饱和区电流,k表示MOS管的电流增益系数,W/L表示MOS管的宽度和长度比,Vgs表示栅极电压,Vth表示
阈值电压
。饱和区电流是指在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的饱和区工作时的电流。这个区域通常出现在
MOSFET的
漏极和源极之间的电压超过其...
mos管
漏源导通电阻
答:
MOSFET的
导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区,则交流电阻近似为无穷大,直流电阻也是很大的。对于实际的MOSFET,考虑到源、漏的串联电阻,则总的导通电阻应该是 Ron+Rs+Rd....
mosfet
和IGBT的栅极不是和漏极绝缘的吗,怎么会有驱动电流呢(或者说...
答:
由于
MOSFET
和IGBT的栅极与漏极和源极之间都存在寄生电容。器件的开通不是一下完成的,而是栅极电流逐渐给栅极寄生电容充电,充电到
阈值电压
,器件才开通。同样,器件关断的时候也不是一下完成的,需要使栅极寄生电容放电,栅极电压降低到阈值电压以下,器件才关断。这就是为什么MOSFET和IGBT器件的开关时间。其...
为什么CPU只用硅做,而不用能耗更低的锗做?
答:
阈值影响
的是v和f之间的限制关系,但这最终依然是一个频率和功耗的trade off,所以降低阈值并不一定能显著降低动态功耗。但是阈值太低一定会导致关断漏电高,显著增加静态功耗。。。现在用锗的一般是看中锗的高迁移率来提高频率,或是用锗硅制备异质节,而不是因为阈值电压。要说
阈值电压的
话。。。硅...
mos管的
作用
答:
其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组
MOS管
,而内存插槽共用一组MOS管。一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大,然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET,把输入
电压的
变化转化为输出电流的变化...
IGBT单管和
MOS管的
区别,
MOSFET
是MOS吗?
答:
IGBT的衬底为P型。2、从原理上说IGBT相当与一个
mosfet
和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题。3、从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用
电压
相对较低从十几伏到1000左右。MOS就是
MOSFET的
简称 ...
封装寄生电感是否会
影响MOSFET
性能
答:
寄生电感是会
影响mosfet
的性能的,而且不止是寄生电感,寄生电容也一样会影响性能,尤其是在高频段,影响很大。因为寄生参数是一些并不希望电路里存在的参数,会消耗一部分能量,而且电感有滞后电流的作用,导致延时或者信号失真出现。通信网络和信号完整性角度来说,应尽量减小寄生参数,实现信号的完整性。
什么
是垂直导电结构,在
MOS管
中的知识
答:
导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于UT(开启电压或
阈值电压
)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层...
mos管
是干
什么
用的?
答:
双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入
电压的
变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型
MOS管
)。而P沟道常见...
如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?
答:
这是个自给偏置的电路结构,所以栅极
电压
确定了,那么源极电压也就确定了;另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管,在 Ugs=0V,即具有导通能力,也就是说,Ug=5V时,Us=5V。
棣栭〉
<涓婁竴椤
6
7
8
9
11
12
13
14
10
15
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜