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mos管的结间电容
在电路板上怎么认识场效应管
答:
MOS管
每次测量完毕,G-S
结电容
上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路即可。2、测量方法。根据场效应
管的
PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正...
IGBT单管和
MOS管的
区别,MOSFET是MOS吗?
答:
IGBT单管和
MOS管的
区别:1、从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于
MOSFET的
衬底为N型,IGBT的衬底为P型。2、从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题。3、从产品来说,IGBT一般用在...
开关电源中用uc3844直接驱动
MOS管
,电阻Rg,Rt组合选择呢?
答:
这个没有定数,RG一般在10-100欧
之间
,RT在2.7K---10K之间,和输出功率以及MOS有关。因为每种型号的
MOS的结电容
都不一样,虽然MOS是电压驱动元件,但是还是需要电流的,所以高结电容容量的MOS需要的驱动电流也大,反过来就小电流一些。放电电阻RT也是,你频率高了,需要尽短时间把MOS--G极电位归零,...
场效应管怎么分上管下管?
答:
metal-oxide semiconductor FET,简称
MOS-FET
)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体
管的
强大竞争者。
如何选择最适合的
MOS管
驱动电路?
答:
(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使
MOSFET
栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极
间电容
电压的快速泄放...
MOS管的
工作原理
答:
氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体
管的
电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是
电容
的作用),所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或金属氧化物半导体场效应晶体管(
MOSFET
)。
三极管寄生
电容
?
答:
三极管的极
间电容
很小(pF级),储存的电荷量也很小。“饱和导通的高电平变为低电平,如果基极没有下拉电阻”——若是指三极管的基极由逻辑电平驱动,逻辑电路输出端为低电平时,该端处于接近0V的低电压(并非是开路)状态,可以吸收电流,三极管发射
结电容
所储存的电荷迅即被泄放掉了,其基极电压等于...
为什么场效应管放大电路输入端都串有
电容
答:
你是指
MOS管电容
?任何两个能存储电子的材料
之间
都会存在电容,MOS管输入一般在栅极,而栅极和源级都可以储存电子,相当于电容 luyanhs | 发布于2012-03-14 举报| 评论 0 0 为您推荐: 运放差分放大电路计算 差分放大电路原理 P场效应管放大电路 什么是场效应管 场效应管 UGSQ 放大器场效应管 场效应...
mos管
是干什么用的?
答:
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的
source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型...
三极管的发射极和集电极并一个
电容
是什么用意
答:
给C极和E极并联
电容
,可以减缓
MOS管
开关的速度,这用在什么场合呢 比如,利用三极管+MOS管去控制某个电压Vs,后级电路负载大,MOS管导通瞬间,拉低电压Vs,那么在C极和E极并联电容,可以减缓C极状态变化的速度,进而MOS管G极的状态变化速度也变得缓慢了,相当于慢慢带载,那么电压Vs就不会拉低太多 ...
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