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mos管的结间电容
mos的
g极串联一个
电容
可以导通吗
答:
mos的g极串联一个电容可以导通吗
MOS管
接入电路,也会有引线产生的寄生电感的存在,与寄生电容一起,形成LC振荡电路。对于开关方波波形,是有很多频率成分存在的,那么很可能与谐振频率相同或者相近,形成串联谐振电路。串联...首先,G级和S级有
结电容
Cgs,假设
mos管
完全导通为12V,4V初步导通,那么G级电压...
场效应晶体管驱动设计,工程师必须掌握
答:
比较好的方法是使用专用的场效应晶体管驱动芯片如TC4420来驱动
MOS管
,这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流,而且还兼容TTL电平输入,场效应晶体管驱动芯片的内部结构。二、场效应晶体管驱动电路设计注意事项:因为驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和场效应晶体
管的结电容
会组成一个LC振荡电路,如果直接...
谁能帮忙解释一下这个电机驱动电路,里边的
电容
和二级管是干吗用的
答:
这个图里除了主功能电路其他元件都是为了保护MOS管。1、比如接的R4,R5,R12,R1(10K)电阻,因为MOS管3个极与极
之间
存在
结电容
,当MOS管关断的一瞬间,
MOS管的
GS结电容就通过这4个电阻放电,从而保护MOS管,平时由于电阻大,通过这4个电阻的电流很小,相当于断开。2、如果不接二极管,当关断MOS管的...
mos管
怎样做
电容
答:
mos管
因其栅极与漏极
之间
是存在绝缘栅的,因此栅极和漏极之间是有
电容
存在的,可以作一个小电容来使用。
mos管
ds间并
电容
对浪涌影响
答:
随着电容充电电压慢慢升高,
mos管
由线性区进入导通区,电路正常导通工作。在实际p沟道mos管电路中,容性负载的大小一般不确定,因此多数情况下需要根据实际负载,调试mos管门源
间的电容
或充电电阻的大小来确定参数并落焊,该过程较为繁琐,由于调试时第一次不知道阻容参数多少合适,因此也存在安全隐患。
场效应管通频带为什么比晶体管更窄
答:
结电容
限制了
MOS管的
F使用范围。1、二极管的PN结之间是存在电容的,而电容是能够通过交流电的。2、由于结电容通常很小,当加在二极管PN结
之间的
交流电频率较低时,通过PN结的电流由PN结的特性决定——只允许单向电流通过。但是当加在PN结上的交流电频率较高时,交流电就可以通过PN结的电容形成通路,PN结就...
在
MOS管
DS两级
之间
加
电容
,有没有人使用过这样的电路
答:
可以加的,但是不要太大;一般472或者大一点的103;你这个是一个吸收,用于吸收其尖峰电压,如果是尖峰高,可以加吸收,如果不高就没必要了(高与不高相对于
MOS的
耐压)你可以百度下吸收电路,一般有C,RC,RCD吸收三种(指无源吸收);
如何消除
mos管
寄生
电容
答:
消除
mos管
寄生
电容
方法有三种。1、增加初始电容值法。采用增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容传感器
的电容
量减小。2、采用驱动电缆技术,减小寄生电容。3、减少引线距离和集中接地,可以减少寄生电容。
开关管漏极和源极的
电容
作用
答:
开关管漏极和源极的电容作用一是降低
MOS管
导通瞬间可能产生的浪涌电流,二是抑制MOS管栅极回路可能感应到的空间电磁干扰使MOS管误导通。MOS管栅漏间接
的电容
因其两端的电压不能突变,这会导致MOS管被驱动时的导通过程变慢,需要两端加电容。该功能为软起动功能,还可以减少浪涌。
反激式开关电源
mos管
d与s极
之间
并多大
的电容
答:
这是过载了,芯片进入了降频保护模式。2、5V输出电压下降很快,大约在十几秒后降至不足1V。不过此时
mos管
两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。5V电压跌落后负载电流减小,开关电源控制芯片退出降频保护模式,但也许是临界状态,建议延长观察时间。开关电源开关
管的
振铃现象没法彻底消除,但振铃严重多和...
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