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mos管的结间电容
谁能解释下
mos管的
正向性是什么意思?
答:
MOS管的
source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。mos管以常见的n管为例,只要没有打开,在mos管DS
之间
加正向电压是不通的,加反向电压由于体二极管的存在,反向电压只要大于...
MOS管
漏极电流怎样算的?
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表漏极电流(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的
电容
。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极
之间的
电压。Vth 是
MOS管的
阈值电压。这个公式的详细...
什么是
结电容
作用
答:
就是二极管PN结
之间的电容
对二极管性能的影响。二极管的PN结之间是存在电容的,而电容是能够通过交流电的。由于
结电容
通常很小,当加在二极管PN结之间的交流电频率较低时,通过PN结的电流由PN结的特性决定——只允许单向电流通过。但是当加在PN结上的交流电频率较高时,交流电就可以通过PN结的电容形成通路,PN结...
什么是
结电容
作用
答:
结电容
就相当于并联在二极管的一个电容.是由于pn结的面积形成的一个电容.电容在交流电路中,有通交流的作用,电容的交流阻抗是跟频率有关的,到了工作的上限频率,结电容的容抗就变的很小,就相当于把信号短路了,交流信号反正两方向都能通过二极管,就失去了二极管的作用.明白?
如何判断分结型场效应管,绝缘栅型场效应管
答:
制造工艺决定了场效应
管的
源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种
管子的
输入电阻极高,栅源间的极
间电容
又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压...
MOS管
漏极电流怎样算
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表漏极电流(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的
电容
。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极
之间的
电压。Vth 是
MOS管的
阈值电压。这个公式的详细...
PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
答:
3.MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。 在
MOS管的
结构中可以看到,在GS,GD
之间
存在寄生
电容
,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容...
半导体二极
管的
参数符号
答:
半导体二极管参数符号解释CT---势垒电容Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压
结电容
Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度...
电子元器件:元件与器件的完美结合
答:
分立器件包括双极性晶体三极管、场效应晶体管、可控硅以及半导体电阻
电容
等。主动器件含有放大控制元,如半导体、三极管、
MOS管
等。它们需要外部提供电源才能工作,为电子设备的运行注入源源不断的动力。元件与器件的完美结合无论是元件还是器件,电子元器件都是电子工程领域的瑰宝。它们共同构成了电子设备的坚实基础,为...
场效应
管的
测试方法
答:
制造工艺决定了场效应
管的
源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种
管子的
输入电阻极高,栅源间的极
间电容
又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压...
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