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功率mos管的电容特性
为何高压时
mos管的
栅源
电容
比低压时
答:
高压时
mos管的
栅源电容比低压时是受栅漏和栅源电容的影响。栅源电容比低压受到的影响,感应到的dv/dt会导致
功率管
开启,MOS管
电容特性
:简单的说,Cgd越小对由于dv/dt所导致的功率管开启的影响越少。同样Cgs和Cgd形成了电容分压器。
mos管的
详细介绍
答:
MOS电容
:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)
说明
mos
晶体管包含哪些
电容
及其物理含义
答:
当栅极电压从0升到开启电压UGS(th)时,C4使整个栅源
电容
增加10%~15%。(4)C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成,当漏极电压改变极性时,其可变电容值变得相当大。(5)C6是随漏极电压变换的漏源电容。
功率MOS
场效应晶体
管的
基本
特性
答:
漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为
MOSFET的
转移
特性
,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导GfsMOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之...
[高分报酬]
MOS管的
突出优点是什么?
答:
MOS的其他优点:①制造结构简单,隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成
。③MOS管为双向器件,设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。按...
为什么
mos管
高的dv/dt容易形成漏电
答:
MOS管的
漏极和源极存在寄生
电容
,因为电容本身的
特性
是隔断直流,通过交流,所以过高的dv/dt会使电压通过该电容形成漏电,
mos管的
作用
答:
开关
特性
。
MOS管
是压控器件,作为开关时,NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通,PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中,MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于...
电力
mosfet
导通条件是什么且什么
答:
另外,
MOSFET
在线性区的压控电阻
特性
亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻(poly resistor),或是
MOS电容
本身可以用来取代常用的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容(PIP capacitor),甚至在适当的电路控制下可以表现出电感(inductor)的特性,这些好处都是BJT很难提供的。也就是说,MOSFET除了扮演原本晶体
管的
角色外,也可以用来...
功率
场效应晶体
管的特性
答:
功率
场效应晶体管及其
特性
一、 功率场效应晶体管是电压控制器件,在功率场效应晶体管中较多采用的是V沟槽工艺,这种工艺生产地管称为VMOS场效应晶体管,它的栅极做成V型,有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点,故在功率应用领域有着广泛的应用,出现一种更好的叫T
MOS管
,它是在VMOS管...
MOSFET
中
的电容
计算
答:
对于100V
MOSFET
,通常把QOSS规定在50%,以帮助在48V ZVS桥接线路中进行死区时间分析。 类似的考虑也适用于栅漏
电容
CRSS,但其价值远远低于COSS。根据定义,其值已经包含在本文开始提及的对COSS的测量中。C RSS的非线性
特性
实际上在很早以前就被认为是一个问题,而且一直在各种文献中有所阐述。栅极电荷曲线中的QGD成分...
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