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功率mos管的电容特性
mos管
是什么原理,起什么作用的
答:
MOS管的
source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。结构特点:MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小
功率MOS管
...
详细讲解
MOS管
驱动电路知识点
答:
MOS管
导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。N
MOS的特性
,Vgs大于一定的值就会导通,适用于源极接地的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适用于源极接Vcc的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便的用作高端驱动,但由于导通电阻大,...
场效应
管的特性
是什么?
答:
1、场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);2、场效应
管的
控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。3、利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;4、组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;5、场效应管的抗辐射能力强...
mos的
irfp250、irfp250n、irfp260、irfp260n有什么区别(npn、pnp的关...
答:
这些都是
MOSFET管
,不是三极管(三极管有NPN,PNP之分,MOSFET没有这种说法)。1、工作电流不同 IRFP250与250N在参数上有少量区别,250的持续电流ID为33A,250N在30A(都是25摄氏度时的最大值)。2、
功率
不同 耗散功率IRFP250为180W,250N为214W。3、导通电阻不同 导通电阻IRFP250最大为0.085欧...
全控型器件的电力场效应晶体管(Power
MOSFET
)
答:
电力
MOSFET的
种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。电力MOSFET的结构小
功率MOS管
是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET...
电力
mos管
为什么有损耗
答:
图1
MOS管特性
曲线 图2 三极管特性曲线 MOS管导通过程中的各电压电流曲线如图3所示,其中Vgs曲线有著名(臭名昭著)的米勒平台,即Vgs在某段时间(t3-t2)内保持不变。图3 MOS管导通曲线 我们知道MOS管是压控器件,不同于三极管是流控器件,但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流(电荷)的,...
场效应
管的特性
是什么
答:
Crss---栅短路共源反向传输
电容
D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频
功率管
) IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短...
求解
MOS
场效应
管的
构造原理,和工作原理,越详细越好,谢谢。
答:
MOS管
每次测量完毕,G-S结
电容
上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。 目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应
管的
管脚顺序如下图所示。 六、常用场效用管1、MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为
MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field...
mos管
是干什么用的?
答:
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的
source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型...
什么是垂直导电结构,在
MOS管
中的知识
答:
为了提高
MOS管的
电气
特性
,尤其是耐压和耐电流能力,
功率MOSFET
大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),其具体工作原理为(参见下图):截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是...
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