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功率mos管的电容特性
MOS
型晶体管
答:
MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)。中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS电容的特性
能被用来形成
MOS管
。Gate,电介质和back...
MOS
是什么?有什么作用?
答:
MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)。中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS电容的特性
能被用来形成
MOS管
。Gate,电介质和back...
场效应
管的
特点是什么?
答:
PDSM — 最大耗散
功率
,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应
管的
工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源
电容
Cdu---漏-衬...
MOS管
在开关电路的作用
答:
改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。N沟道的
MOS管的
电路中,BEEP引脚为高电平即可导通,蜂鸣器发出声音,低电平关闭蜂鸣器;P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断,GPS_PWR引脚为低电平时导通,GPS模块正常供电,高电平时GPS模块...
mos的
irfp250、irfp250n、irfp260、irfp260n有什么区别(npn、pnp的关...
答:
这些都是
MOSFET管
,不是三极管(三极管有NPN,PNP之分,MOSFET没有这种说法)。1、工作电流不同 IRFP250与250N在参数上有少量区别,250的持续电流ID为33A,250N在30A(都是25摄氏度时的最大值)。2、
功率
不同 耗散功率IRFP250为180W,250N为214W。3、导通电阻不同 导通电阻IRFP250最大为0.085欧...
什么是
MOS
场效应管?
答:
MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)。 中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS电容的特性
能被用来形成
MOS管
。Gate,电介质和...
线路板上的
mos管
是什么?
答:
防热作用,避免点和点之间的热,会引起燃烧
场效应
管的
原理
答:
Crss---栅短路共源反向传输
电容
D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频
功率管
) IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短...
场效应
管特性
及单端甲类功放制作全过程
答:
结
电容
无变容效应。V
MOS管的
结电容不随结电压而变化,无一般晶体管结电容的变容效应,可避免由变容效应招致的失真。 频率
特性
好。VMOS场效应管的多数载流子运动属于漂移运动,且漂移距离仅1~1.5um,不受晶体管那样的少数载流子基区过渡时间限制,故
功率
增益随频率变化极小,频率特性好。 开关速度快。由于没有少数载流子...
MOS管
漏极电流怎样算的?
答:
Cox 是栅极氧化层
的电容
。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是
MOS管的
阈值电压。这个公式的详细解释如下:漏极电流(ID)是MOS管中的电子流,取决于沟道的尺寸(W 和 L)以及施加在栅极和源极之间的电压(VGS)。μn 是材料
特性
,表示电子在半导体中移动的速度。
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