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光刻胶arf和krf的区别
krf光刻胶和arf光刻胶区别
答:
,
ArF光刻胶是市场需求的主流,占比约42%。而KrF则多用于8寸晶圆片,占比约22%
。半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,分别是紫外全谱(300~450nm)、G线(436nm)、I线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和193nm)和极紫外(EUV),相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说,波长越短,...
光刻胶
g线、i线、
KrF
、
ArF
、EUV,到底是在说什么
答:
在半导体制造的精密舞台上,
光刻胶
如同画师手中的调色盘,根据曝光光源
的不同
波长,将微观世界精细划分。我们来解析一下那些术语:g线、i线、KrF、ArF和EUV,它们各自代表的是怎样的技术革命。技术分类与应用从800-1200nm到350-500nm,g线和i线主导着早期的半导体工艺,是集成电路制造的基石。
ArF和KrF
...
半导体核心材料—
光刻胶
概述
答:
从技术水平来看,目前中国本土光刻胶的整体技术水平与国际先进水平存在明显差距,且主要集中在技术含量较低的PCB光刻胶领域,而在半导体
光刻胶和
LCD光刻胶方面自给率较低。具体而言,半导体光刻胶中g线/i线光刻胶国产化率为10%,而
ArF
/
KrF光刻胶的
国产化率仅为1%,对于最高端的EUV光刻胶目前仍处于...
南大光电的
ArF光刻胶
已经进入到验证阶段
答:
248nm波长光源的光刻胶为
KrF光刻胶
,193nm波长光源的光刻胶被称为
ArF光刻胶
,两者都属于深紫外光刻胶,在浸没光刻、多重光刻等新技术的辅助下,已经进入到了远低于自己波长的制程工艺中,比如,ArF光刻系统已经进入到了45nm到10nm之间的半导体制程工艺中,属于当前市场的主流需求。
为什么整个
光刻
步骤要在黄光照明的暗室内进行
答:
:
I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~0.5μm
。黄光照明,避免了光辐照后可能产生酸或产生交联。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄。
半导体核心材料—
光刻胶
概述
答:
2. 光刻胶世界分类光刻胶根据应用领域分为半导体、LCD和PCB光刻胶,其中半导体光刻胶技术要求最高。我国在PCB光刻胶领域的国产化进展较快,而在半导体光刻胶,尤其是
ArF和KrF光刻胶
,与国际先进水平仍有一定差距。3. 光刻胶产业链全景从上游的原材料供应到中游的制造,产业链中日本、韩国和美国占据...
半导体设备系列-
光刻
机
答:
第三代为扫描投影式
光刻
机,光源改进为248nm的
KrF
氟化氪准分子深紫外光源,实现了跨越式发展,将最小工艺推进至150—250nm。第四代为步进式投影式光刻机,采用193nm波长的
ArF
氟化氩准分子激光光源,可实现制程推进到了65—130nm。第五代为EUV光刻机,选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源。3、...
光刻胶
是制造手机芯片必不可少的东西,你知道光刻胶是啥吗?
答:
这种光科技能够研发出最高28纳米的光刻胶。对于晶锐股份的ARF光刻胶以及ARfi光刻胶有着一定的推动作用。而上海信阳花费7.32亿元推动集成电路制造,其中
ARF光刻胶与KrF光刻胶
成为其公司项目的主要攻克方向。不管是南大光电还是晶锐股份,又或者是上海新阳,这些企业为中国在光刻胶领域上面的发展填上了一笔...
光刻
化学01-
光刻胶
,resist
答:
光刻胶
通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)进行曝光。根据使用
的不同
波长的曝光光源,如
KrF
(248nm),
ArF
(193nm)和EUV(13.5nm),相应的光刻胶组分也会有一定的变化。如248nm光刻胶常用聚对羟基苯乙烯及其衍生物为光刻胶主体材料,193nm光刻胶为聚酯环族丙烯酸酯及其共聚物,EUV光...
试述
光刻
加工的主要阶段
答:
涂胶,曝光,显影。涂胶又分HMDS,Coat,Softbake三步,显影分PEB,Develop,Hardbake三步。连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
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