霍尔传感器,一种基于霍尔效应的磁场检测设备,揭示了磁电效应的一个方面。霍尔效应是在1879年由霍尔发现的,当时他正致力于探究金属的导电性质。随后,这一效应在半导体和导电流体中的存在也被确认,尤其是半导体中的霍尔效应更为显著。基于此效应,人们开发了多种霍尔元件,并在工业自动化、检测技术和信息处理等领域得到了广泛应用。霍尔效应不仅是研究半导体材料性质的关键技术,还能通过测量霍尔系数确定材料的导电类型、载流子浓度和载流子迁移率等参数。
在霍尔传感器中,一个置于磁场中的霍尔半导体片通过恒定电流I。由于洛仑兹力的作用,电子流在通过半导体时会向一侧偏移,从而在CD方向上产生电位差——即霍尔电压。霍尔电压的大小与磁场强度成正比,磁场增强则电压升高,磁场减弱则电压降低。霍尔电压本身可能很小,通常只有几毫伏,但通过集成电路中的放大器可以放大输出信号。
为了使霍尔集成电路发挥传感作用,可以通过改变磁感应强度来感应传感。一种实现方式是使用可转动的叶轮来控制磁通量。当叶轮的叶片位于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场与集成片之间的联系被切断,霍尔电压消失。因此,霍尔集成电路的输出电压变化可以反映叶轮的特定位置,这一原理可应用于将霍尔集成电路用作点火正时传感器。
霍尔效应传感器属于被动型传感器,需要外部电源才能正常工作。这种特性使得它们能够检测到低转速的机械运转状态。
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