1、可控硅中的PN结——是相临半导体间的空穴与电子扩散而形成各接触层间的电势垒。阻止了电子与空穴的继续扩散和漂移,达到一个平衡状态。
2、但PN结这个电势垒,并不会对外产生电压,这是因为原子核与电子的带电量的中和关系。
3、当PN结正偏时,外界的电子就能通过PN结,形成导通压降(电势垒压降和内阻压降)。
4、当PN结反偏时,相当于外界电压增强了PN结的电势垒,电子与空穴的扩散更是不容易,但是电子与空穴的漂移将大大增强,至于反偏是否能导通,取决于漂移电子的数量。
知道了上述四点,就可以理解可控硅的关断条件了。当G极加上触发电压后,GK间的PN结处于正偏正向导通,这时大量的载流体进入第二个PN结(反偏)正好满足漂流电子的特性就流过了PN结,进入第三个PN结,而这个PN结是正偏,也就顺利导通了,这个PN结导通还为GK间的PN结提供了维持导通的电流,使GK间一直处于正偏。所以只要漂流载流体存在,G极接地或加反压都不能改变GK间的PN结的正偏状态。只有当漂流载流体回零后,或者AK间的外加电压反向时才能破坏载流体的流动,使之回零。
结论:可控硅的关断是使AK上的电压反向或电路中的电流过零,才能使可控硅关断。
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