不对吧,有一段原文“The power section is implemented with an n-channel power MOSFET with a breakdown voltage of 800 V min. and a typical RDS(on)of 20 Ω 。”就是说通态电阻是20欧姆,如果栅极不加电压,漏原电阻才20欧姆,那还能有800V的击穿电压。
我仔细想了下,有没有可能是导通时的电阻。如果是开关电源的话就是开关电源的内阻。
不好意思,是我弄错了,应该是MOS管DS导通电阻。这是什么MOS管啊导通电阻那么大。