DDR4总结纯干货分享

如题所述

在内存技术的演进历程中,DDR4 SDRAM无疑是性能提升的重要里程碑。它以追求速度、低电压和高密度为目标,引领着存储器发展的新浪潮。相比于前代DDR3/2,DDR4带来了显著的提升:


速度与带宽飞跃

DDR4的传输速率达到了惊人的2133-3200MT/s,这是一个质的飞跃,使得数据传输更为迅捷,满足了现代多任务处理的需求。


创新设计与效率提升

采用全新的Bank Group设计,每个组独立操作,极大地增强了系统的并发处理能力。DBI(Data Bus Interface)的加入,配合CRC(Cyclic Redundancy Check)和CA parity(Chase Array Parity)功能,确保了信号的完整性与可靠性,提升了系统的稳定性和信号质量。


POD(Power On Demand)技术的引入,不仅降低了功耗,还使得内存工作更为高效,为用户带来了更长的电池续航和更佳的能效比。


解决难题与优化

Bank Group设计巧妙地解决了数据预取的问题,提升了内存的访问效率和带宽。告别了DDR3的Multi-drop bus,DDR4采用了Point to Point连接方式,避免了带宽浪费,进一步提高了数据传输的效率。


DBI技术的一大亮点是通过反转信号,在高电平时降低电流,实现了节能的同时,确保了数据传输的准确性。


成本与空间的节省

在设计上,DDR4的VREFCA仍沿用外置元件,但VREFDQ则由芯片内部生成,这样的改变既节省了成本,也释放了更多的空间,使得内存模块更为紧凑。


VREFDQ通过内置寄存器进行调节,其校准受开机影响,并与供电电压VDD和传输线特性紧密相关,这进一步提升了其性能表现。


总结来说,DDR4以其卓越的2133-3200MT/s速度、低至1.2V的电压、高密度特性,以及排队/流水线技术和ECC支持,显著提升了性能和能效,无疑为现代电子设备的内存升级提供了强大而高效的选择。

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