如图2-2-39所示，G1场效应晶体管IRF840与变压器T组成阳极脉冲产生器，G1的G极通过电容C1输入20kHz、宽度12μs的触发信号。电阻R1接地，触发信号未到时，G1截止。稳压二极管D1稳压12V，使G极电位不高于12V，保护G1场效应晶体管。D极接变压器T的初级线圈2端，1端接直流电源（＋100V）。二极管D2、D3消除反冲尖子，电容C2、电阻R2消除高频振荡。变压器T的线圈6端接中子管的阳极和二极管D4，5端接电容C3、C4、C5，稳压二极管D5、D6和电阻R3。它们构成自举电路或叫做箝位电路。T变压器线圈6、5端输出正脉冲，有相当大的负脉冲，在负脉冲期间，硅堆D4导通，形成反向电流。该电流向电容C3、C4、C5充电，各电容充电至＋150V，不再升高。当负脉冲回降后，D4截止。T变压器6端电位由零慢慢转为正，最后达到450V，此称自举电压。在T变压器线圈6、5端输出正脉冲，加到中子管离子源阳极上的电压Va为6、5端的感应电压与自举电压之和，共2400V。由于应用了自举电路，阳极脉冲后沿变陡，该电路的研制者称为锐截止。
T变压器线圈4、3端给出＋24V脉冲电压，经D8整流，D9稳压，给出＋12V直流电压Vam。有Va就有Vam，故Vam被用作中子管离子源阳极脉冲电压的标志码。
晶体三极管G2、G5、G6和运算放大器G3、G4等组件组成氘贮藏器自动控制电路，中子管离子源阳极、阴极之间加上＋2400V脉冲电压，氘贮藏器通适当电流之后，中子管便产生电离，在电阻R5、R6、R7上的电离负脉冲信号被电阻R8，电容C6、C7组成的“Π”形滤波器滤成负直流电压，经电阻R9输入到运算放大器G3的同相端3脚，反相端2脚在电位器R11接一个固定负电位，3、2脚电位进行比较、放大后，1脚经电阻R14输入给G4的同相端5脚。G3的1、2脚之间接了一个回馈电阻R13是为了使放大倍数稳定。G4的反相端6脚经电阻R15、R17接到＋6V电源上，6、5脚电位经比较放大后在7脚输出，经电阻R16加至晶体三极管G5、G6，另一路经二极管D10加至晶体三极管G2上。
中子管电离由两个参数决定，即阳极脉冲电压和氘贮藏器电流，当阳极脉冲电压高、氘贮藏器电流大时，电离信号强，通过自动控制电路中的晶体三极管G6内阻增大，使氘贮藏器电流减小，反之亦然。从而达到中子管离子源电离稳定。