半导体二极管，三极管的筛选及老化方法有哪些

Question

如题所述

Answer 1

检查的主要内容如下：
②电位器、可变电容器和可调电感器等元件，调动时应该旋转平稳，无跳变或卡死现象。　　④胶木件表面无裂纹、起泡和分层。瓷质件表面光洁平整，无缺损。　　⑤带有密封结构的元器件，密封部位不应损坏和开裂。　　⑥镀银件表面光亮，无变色和发黑现象。　　2畅元器件的筛选和老化　　③接插件应插拔自如，插针、插孔镀层光亮，无明显氧化和玷污。　　①元器件外观应完整无损，标注清晰，引线和接线端子无锈蚀和明显氧化。　　筛选和老化的目的是剔除因某种缺陷而导致早期失效的元器件，从而提高元器件的使用寿命和可靠性。因此，凡有筛选和老化要求的元器件，在整机装配前必须按照整机产品技术要求和有关技术规定进行严格的筛选和老化。　　然而在课堂化的业余条件下，不具备对元器件进行正规的筛选和老化的条件，只有借助于万用表和有关通用仪器对元器件进行一般的检测，对阻容元件、二极管、三极管、集成电路、
电感线圈、电位器等元件的一般检测在前面已学过的课程中已作介绍，这里不再叙述。而电视机生产厂家具备对元器件进行筛选和老化的条件，且由专业人员操作，比较复杂。下面以对半导体二极管、三极管和集成电路的筛选和老化的技术要求为例作简要介绍，仅供学生参考。　　（1）半导体二极管、三极管的筛选和老化　　①筛选程序：
b畅三极管：高温储存→温度冲击→跌落（大功率管不做）→高温反偏（硅PNP管）→功率老化→高低温测试（必要时做）→常温测试→检漏→外观检查。
心→功率老化。　　筛选程序可根据具体情况作相应变化，但其主要项目有：高温储存→温度冲击→跌落或离　　②条件及要求：
储存时间：A级48h，B级96h。　　储存温度：硅二极管（150±3）℃；硅三极管（175±3）℃；锗二极管、三极管（100±2）℃。　　a畅高温储存漏电流→常温测试→检漏→外观检查。　　a畅二极管（此处指整流二极管）：高温储存→温度冲击→敲击→功率老化→高温测试反向
锗元件：（－55±3）℃茨（85±2）℃。　　b畅温度冲击
硅元件：（－55±3）℃茨（125±3）℃。　　先低温后高温，转换时间小于1min，每种状态下放置1h，循环次数为5次。
允许曲线有跳动现象。敲击次数为3～5次。　　c畅敲击　在专用夹具上，用小锤敲击器件，并用图示仪监视最大工作电流正向曲线。不
在c－b极间加反向电压（具体电压值按技术部门的指定值）。反偏时间约4h，漏电流不超过规定值。　　f畅高温测试　试验温度锗二极管为（70±2）℃，锗中小功率三极管为（55±2）℃，锗大功　　g畅低温测试　试验温度为（－55±3）℃，恒温时间为30min。
i畅检漏　按技术文件规定进行。　　（2）半导体集成电路的筛选　　h畅常温测试　按技术文件规定进行。　　e畅高温反偏　锗管在（70±2）℃，硅管在（125±3）℃下，二极管加额定反向电压，三极管　　d畅功率老化　在常温下，按技术要求通电老化。老化时间A级12h，B级24h。率三极管为（75±2）℃，硅二、三极管为（125±3）℃。恒温时间为30min。　　①高温储存　它的作用是通过高温加热，加速任何可能发生或存在的表面化学反应，使　　储存条件：温度150～（175±5）℃，储存时间为48h或96h。150℃适用于环氧扁平封装　　循环条件：温度为（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低温后高温，每种温度下保持30min，　　②温度循环　此项目能检验电路内不同结构材料的热胀冷缩性是否匹配。电路稳定，剔除潜在的失效电路。的电路，175℃适用于其他材料封装的电路。