什么是IGBT管？有什么作用？怎样判断好坏？

Question

如题所述

Answer 1

　　
　　IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。
　　普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。
　　大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。
　　将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。
　　IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。
　　常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。
　　测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值3.5K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼。
　　

Answer 2

IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。 IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。 PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变 IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。

Answer 3

IGBT管，全称绝缘栅双极晶体管，是一种电力电子元件，咋看很像三极管，但工作原理却有区别。它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降特性。广泛应用在交流电机驱动、电源开关、电力电子变换设备等方面。
IGBT管的主要作用是用来开关电电流，改变电流的方向和大小，以此来控制电动机、变频器等设备的工作。
判断IGBT管好坏的方法主要有以下几种：
1.使用万用表测量。将万用表拨到对应的电阻档位，然后分别测量IGBT管的各个引脚之间的电阻值，如果测量结果与规定的标准值有很大的出入，就说明IGBT管可能存在问题。
2.使用专门的测试设备。市面上有很多专门用来测试IGBT管的设备，比如叫做"IGBT测试仪"的设备，这种设备可以更准确地测量IGBT管的性能参数，以此来评判其是否正常。
3.在电路中测试。将IGBT管放回到原来的电路中，然后对电路进行正常的工作，通过观察电路的工作状态来判断IGBT管是否正常。例如观察是否有过热、过载、无法启动等情况。

Answer 4

电磁炉的功率管，和普通三极管一样的判断方法