比较TTL电路和CMOS电路的主要特点

如题所述

TTL门电路的空载功耗较CMOS门的静态功耗是较大的;CMOS的噪声容限更大,抗干扰能力更强;TTL的速度高于CMOS;CMOS驱动负载能力更强……

1. TTL逻辑电平即Transistor-Transistor Logic。最小输出高电平VOHmin:2.4V ,输出低电平VOLmax:0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V 输出低电平是0.2V。最小输入高电平VIHmin:2.0V ,最大输入低电平VILmax:0.8V ;它的噪声容限是0.4V。

2. CMOS逻辑电平即Complementary metal-oxide-semiconductor 。逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3. 电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5vcmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。

4. OC门即集电极开路门电路;OD门即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。

5. TTL和COMS电路比较:

1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。

2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。

3)COMS电路的锁定效应:COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产 生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。

参考资料:http://qzone.qq.com/blog/42497040-1235624233

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