四种典型的全控型器件的容量

如题所述

四种典型的全控型器件的容量主要有以下几点。
1、1964年,美国第一次试制成功了500V/10A的GTO。在此后的近10年内,GTO的容量一直停留在较小水平,额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。
2、功率MOSFET目前制造水平是1kV/2A/2MHz和60V/200A/2MHz。
3、绝缘门极双极型品体管(IGBT)IGBT是由美国GE公司和RCA公司于1983年研制的,当时容量仅500V/20A,且存在一些技术问题。目前,其研制水平已达4500V/1000A。
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