陈光德研究方向

如题所述

陈光德教授的研究方向主要集中在宽禁带半导体及其纳米结构领域。以GaN为代表的第三代半导体材料,以其出色的光电性能,成为了全球半导体研究的焦点。陈教授长期致力于探究GaN的发光机理,尤其在发光动力学方面取得了显著的突破。他的研究不仅限于此,近年来,他扩展了研究领域,致力于半导体纳米材料的合成及其物性表征。在AlN纳米结构的生长、光学、热学以及表面特性方面,陈教授的研究均取得了一定的创新性进展。

此外,陈光德教授还涉足激光与非线性光学领域。他专注于激光检测系统的研发,例如激光数字散斑的测量技术,这在提高测量精度和效率上发挥了关键作用。他深入研究了半导体材料的非线性光学性质,以及光纤中的非线性光学现象及其在实际应用中的潜力。这些工作为激光技术的发展和非线性光学应用提供了理论支持和创新思路。
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