半导体功率器件是一类用于高压和高电流环境中开关和控制电功率的电子元件。它们是制造高效能电源转换系统、电动机控制器以及能量管理和控制系统所不可或缺的关键部件。半导体功率器件利用半导体材料的特性来实现对电能的精确控制，通常在重工业、运输、能源以及家用电器等领域有广泛的应用。
这些器件包括如下几种类型：
功率晶体管（如双极型晶体管、场效应晶体管(FET)）：用于放大信号或作为开关。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）：它结合了双极型晶体管的高功率承受能力和场效应晶体管的易于控制的优点，广泛应用于中至高电压（大约200伏到数千伏）的应用，如电动机控制器、电气逆变器等。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：它在低压（小于200伏）应用中非常流行，如汽车电子、电脑电源和现代开关电源中。
可控硅（Thyristor）：一种四层、三极半导体器件，具有良好的电流承受能力，被用作交流/直流转换和在大量工业加热应用中进行电流调节。
功率二极管：用于电力系统的整流，把交流电转换成直流电。
半导体功率器件通常要求具有极高的开关速率、能够承受高温、高效率和长寿命等特点。
电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。
功率半导体器件通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。
功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备。
扩展资料
电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。
80年代初期出现的MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。
80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。
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