理想的电力电子器件应具特点
1、晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高。
2、IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。
3、GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
4、GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。
5、电力MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。