用含有硅的肥料种植葡萄果子能否早熟

用含有硅的肥料种植葡萄果子能否早熟

  用含有硅的肥料种植葡萄,不能使果子早熟。硅约占地壳总重量的25.7%,仅次于氧。因此土地中的硅含量已经非常充分。
  创建葡萄园的条件
  (1)葡萄园的地点应尽可能设在交通方便的地方,便于产品外运。
  (2)地势应开扩平坦(山地丘陵地要进行适当改造),排水良好。狭窄的山沟和山谷,因光照不足且易积聚冷空气,易受霜冻,不宜选作葡萄园。
  (3)有良好的水源,可灌溉。
  (4)土层较厚,土质肥沃疏松,透水性和保水力良好。
  (5)在风大的地方,最好选有天然防风屏障(如森林、建筑物、山丘)的地点建园,否则要营造防护林。
  葡萄园的规划设计
  (1)划分栽植区根据地形坡向和坡度划分若干栽植区(又称作业区),栽植区应长方形,长边与行向一致,有利于排灌和机械作业。
  (2)道路系统根据园地总面积的大小和地形地势,决定道路等级。主道路应贯穿葡萄园的中心部分,面积小的设一条,面积大的可纵横交叉,把整个园分割成4、6、8个大区。支道设在作业区边界,一般与主道垂直。作业区内设作业道,与支道连接,是临时性道路,可利用葡萄行间空地。主道和支道是固定道路,路基和路面应牢固耐用。
  (3)排灌系统葡萄园应有良好的水源保证,作好总灌渠、支渠和灌水沟三级灌溉系统(面积较小也可设灌渠和灌水沟二级),按千分之五比降设计各级渠道的高程,即总渠高于支渠,支渠高于灌水沟,使水能在渠道中自流灌溉。排水系统也分小排水沟、中排水沟和总排水沟三级,但高程差是由小沟往大沟逐渐降低。排灌渠道应与道路系统密切结合,一般设在道路两侧。
  (4)防护林葡萄园设防护林有改善园内小气候,防风、沙、霜、雹的作用。百亩以上葡萄园,防护林走向应与主风向垂直,有时还要设立与主林带相垂直的副林带。主林带由4~6行乔灌木构成,副林带由2~3行乔灌木构成。在风沙严重地区,主林带之间间距为300~500米,副林带间距200米。在果园边界设3~5行境界林。一般林带占地面积为果园总面积的10%左右。
  (5)管理用房包括办公室、库房、生活用房、畜舍等,修建在果园中心或一旁,由主道与外界公路相连。占地面积2%~3%。
  (6)肥源为保证每年有充足的肥料,葡萄园必须有充足肥源。可在园内设绿肥基地,养猪、鸡、牛、羊等积粪肥。按每亩施农家肥万斤设计肥源。
  (7)其他包括架式、架材、行株距等等。
  ①架式。选择架式一般应根据品种特性、当地气候特点以及当地栽植习惯来确定。一般在我国长城以北地区大多采用棚架,以便有较宽的行距,供冬季植株防寒取土,并使根系不致因大量取土而裸露受冻害。但为了获得快速丰产,应尽可能采用抗寒砧嫁接苗,缩小行距。而在长城以南至黄河流域的葡萄产区多采篱架。生产中用得最多的是单壁篱架,它具有管理方便,通风透光条件较好等优点。
  ②株行距的设置。葡萄的株行距因架式、品种和气候条件不同而异。采用棚架形式整枝的葡萄,行距4~10米不等。生长势特强、易成形的品种如龙眼,可采取6~10米的大行距,一般生长势中庸的品种都采用4~6米的行距。株距则根据架面上所留主蔓的数量确定,1株1蔓的株距为0.5米左右。再根据各地气候条件,暖和、生长期较长地区,株行距可稍大,反之冬季较寒冷、生长期较短地区,株距可稍小。采用篱架时,行距过宽不利于提高每亩架面和有效架面,在不埋土区或轻度埋土区,单篱架的行距以等于或稍大于架高即2~2.5米之间为宜。行距过窄架面下部光照不足,变成无效架面。北方埋土地区应适当加宽行距(一般2.5~3米),以利于冬季取土防寒。架高以1.8~2.0米为宜,过高不利于夏季修剪等管理作业。
  ③葡萄园所需的架材和投资。架材需用量随架式结构不同而异。倾斜式小棚架:每亩用水泥柱60根。水泥柱的形状一般为正方形或长方形,边长为8~12厘米。水泥柱的长度一般为2~2.5米。另需30根竹竿,8号或10号铁丝,共需10道约1100米。架材费用570元左右。连接式水平棚架:每亩用10厘米见方水泥柱60根。每亩需直径6.5毫米铁筋24米,8号铁丝180米,10号铁丝1100米,架材费用480元左右。单壁篱架:每亩需高2~2.5米水泥柱66根,8或10号铁丝800米。架材费用380~400元。[1]
  挖沟栽植
  葡萄是多年生藤本植物,寿命较长,定植后要在固定位置生长结果多年,需要有较大的地下营养体积。而葡萄根系幼嫩组织是肉质的,其生长点向下向外伸展遇到阻力就停止前进,为了使葡萄根系在土壤中占据较大的营养面积,达到“根深叶茂”,在栽植葡萄前要挖好栽植沟。
  (1)挖定植沟挖定植沟时间,北方地区一般在秋后至上冻前进行为好。山地葡萄园挖栽植沟要适当深和宽些,一般深、宽均为1米为宜,平地可挖各0.8米深的沟。先按行距定线,再按沟的宽度挖沟,将表土放到一面,心土放另一面,然后进行回填土。回填土时,先在沟底填一层20厘米的有机物。平原地块,若地下水位较高,可填20厘米炉渣或垃圾,以作滤水层。再往上填一层表土、一层粪肥,或粪肥和表土混合填入。每公顷需要7500公斤优质粪肥,另外加入250公斤磷肥。回填土时要根据不同土壤类型进行改良,若土壤粘重要适当掺沙子回填,改善土壤结构,以利于根系生长发育。当回填到离地表10厘米时,灌水沉实定植沟,再回填与地表相平进行栽苗。
  (2)栽苗选好合格苗木,要求根系完整有5条以上,直径在2~3毫米的侧根。苗粗度在5毫米以上完全成熟木质化,其上有3个以上的饱满芽,苗木应是无病虫危害,若嫁接苗,则砧木类型应符合要求,嫁接口完全愈合无裂缝。栽苗时期:北京地区在春季3月下旬至4月上旬为宜,长江以南地区可秋季栽苗,一般在11~12月较合适。栽苗前要对苗木进行适当修剪,剪去枯桩,对过长的根系留20~30厘米剪截。然后放清水浸泡24小时,使其充分吸水。栽苗时挖穴,将苗木根系向四周散开,不要圈根,覆土踩实,使根系与土壤紧密结合。栽植深度不宜过深或过浅,过深地温较低,不利缓苗;过浅根系容易露出地面而风干。一般嫁接苗覆土至嫁接口下部1厘米处,扦插苗以原根际与栽植沟面平齐为宜。栽后灌透水一次,待水渗后再覆土,不让根系外露。在干旱地区栽苗后用沙壤土埋上,培土高度以超过最上1个芽眼2厘米为适宜,以防芽眼抽干,隔5天再灌水1次,这样才能确保苗木成活。最好采用地膜覆盖,有利于提高地温和保墒,促进根系生长。
  (3)定植苗木当年管理技术定植苗木抹芽、定枝、摘心非常重要,当芽眼萌发时,嫁接苗要及时抹除嫁接口以下部位的萌发芽,以免萌蘖生长消耗养分,影响接穗芽眼萌发和新梢生长。待苗高20厘米时,根据栽植密度进行定枝、疏枝,若株距较大一般留2枝,反之,则可留1枝。抹除多余的枝、留壮枝不留弱枝,使养分集中供给保留下来的枝以利于植株生长。当苗木1米高时,要进行主梢摘心和副梢处理,首先要抹除距地面30厘米以下的副梢,其上副梢一般留1~2片叶反复摘心,较粗壮的副梢可留4~5 片叶反复摘心控制。当主梢长度达1.5米时再次摘心。北京地区苗木管理较好到9月上旬一般植株可达2米左右,还要进行最后次主梢摘心。通过多次反复摘心,可以促进苗木加粗,枝条木质化和花芽分化。冬剪时在充分成熟直径在1厘米以上主蔓上剪截,一般主蔓留长度在1~1.2米。主梢上抽发的副梢粗度在0.5厘米时,可留1~2芽短截,作为下年的结果母枝。
  (4)早期丰产栽培技术最关键的是肥水管理当苗高在40~50厘米时要进行第1次追肥。由于定植苗木根系很小,用于吸收营养元素量也较少,因此,要勤追少施,年追施2~3次即可,追肥时间20~30天一次,前期追施以氮肥为主,后期追施以磷钾肥为主,追肥后要及时灌水、松土、中耕除草。还要注意病虫害防治。
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第1个回答  2016-02-09

    用含有硅的肥料种植葡萄,不能使果子早熟。硅约占地壳总重量的25.7%,仅次于氧。因此土地中的硅含量已经非常充分。没有必要再刻意增加土壤中的硅含量来促进葡萄果子的早熟。

    硅名称的由来:英文silicon,来自拉丁文的silex,silicis,意思为燧石(火石)。 民国初期,学者原将此元素译为“硅”而令其读为“xi(圭旁确可读xi音)”(又,“硅”字本为“砉”字之异体,读huo)。然而在当时的时空下,由于拼音方案尚未推广普及,一般大众多误读为gui。由于化学元素译词除中国原有命名者,多用音译,化学学会注意到此问题,于是又创 “矽”字避免误读。台湾沿用“矽”字至今。中国大陆在1953年2月,中国科学院召开了一次全国性的化学物质命名扩大座谈会,有学者以“矽”与另外的化学元素“锡”和“硒”同音易混淆为由,通过并公布改回原名字“硅”并读“gui”,但并未意识到其实“硅”字本亦应读xi音。有趣的是,矽肺与矽钢片等词汇至今仍用矽字。在香港,两用法皆有,但“矽”较通用。

    硅的物理性质:有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色,无定形硅为黑色,密度2.32-2.34克/立方厘米,熔点1410℃,沸点2355℃,晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸,溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。

    硅的化学性质:硅有明显的非金属特性,可以溶于碱金属氢氧化物溶液中,产生(偏)硅酸盐和氢气。

    硅原子位于元素周期表第IV主族,它的原子序数为Z=14,核外有14个电子。电子在原子核外,按能级由低硅原子到高,由里到外,层层环绕,这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子,第二层有8个电子,达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子,它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。

    正因为硅原子有如此结构,所以有其一些特殊的性质:最外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构,这些价电子使硅原子相互之间以共价键结合,由于共价键比较结实,硅具有较高的熔点和密度;化学性质比较稳定,常温下很难与其他物质(除氟化氢和碱液以外)发生反应;硅晶体中没有明显的自由电子,能导电,但导电率不及金属,且随温度升高而增加,具有半导体性质。

    加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用,也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中,可溶于碱溶液中,并有氢气放出,形成相应的碱金属硅酸盐溶液,于赤热温度下,与水蒸气能发生作用。

    分类:纯净物、单质、非金属单质。

    (1)与单质反应:

    Si + O₂ == SiO₂,条件:加热

    Si + 2F₂ == SiF₄

    Si + 2Cl₂ == SiCl₄,条件:高温

    (2)高温真空条件下可以与某些氧化物反应:

    2MgO + Si=高温真空 =Mg(g)+SiO₂(硅热还原法炼镁)

    (3)与酸反应:

    只与氢氟酸反应:Si + 4HF == SiF₄↑ + 2H₂↑

    (4)与碱反应:Si + 2OH⁻+ H₂O == SiO₃²⁻+ 2H₂↑(如NaOH,KOH)

    注意:硅、铝是既能和酸反应,又能和碱反应,放出氢气的单质。

    相关方程式:

    Si+O₂=高温= SiO₂

    Si + 2OH⁻ + H₂O == SiO₃²⁻+ 2H₂↑

    Si+2F₂== SiF₄

    Si+4HF== SiF₄↑+2H₂↑

    SiO₂ + 2OH⁻== SiO₃²⁻+ H₂O

    SiO₃²⁻+ 2NH₄⁺+ H₂O == H₄SiO₄↓ + 2NH₃↑

    SiO₃²⁻+ CO₂ + 2H₂O == H₄SiO₃↓+ CO₃²⁻

    SiO₃²⁻+ 2H⁺== H₂SiO₃↓

    SiO₃²⁻+2H⁺+H₂O == H₄SiO₄↓H₄S

    硅原子结构二维图

    iO₄ == H₂SiO₃ + H₂O

    3SiO₃²⁻+ 2Fe³⁺== Fe₂(SiO₃)₃↓

    3SiO₃²⁻+2Al³⁺==Al₂(SiO₃)₃↓

    Na₂CO₃ + SiO₂ =高温= Na₂SiO₃ + CO₂ ↑

    相关化合物:二氧化硅、硅胶、硅酸盐、硅酸、原硅酸、硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、

    原子属性:原子量:28.0855u;原子核亏损质量:0.1455u;原子半径:(计算值)110(111)pm;共价半径:111 pm;范德华半径:210 pm;外围电子层排布:3s²3p²;引电子在每个能级的排布:2,8,4;电子层:KLM;氧化性(氧化物):4(两性的)。

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