记得说同电流下电压越高发热量越大，那么按照你的公式说跟电压没有关系？？那电压跟导通电阻有何关系？？
追答p=u*i=u*u/R=i*i*R，在电压源、电流源下用不同公式。
i=电源电压/(电源内阻+Rds_on)，Rds_on的电阻一般小于50m欧，它变化一点对i影响小。此时的电源可以等效为电流源。
那么在1安下，i×i×r=发热量，算出来的为何那么小？？
如何判断用那条公式？？
追答功率MOS管的Rdson小，流过1A电流时，功率就是小；功率MOS可以流过40A电流而结温不超标，比1A时候，功率高1600倍以上。
给个建议，（1）在工作中，电路分析时，始终记住电源有内阻（不同电源如电网、电池、直流源、交流源等等都是有内阻，内阻有多大，这个是经验）；
（2）电路原理说内阻远大于负载阻抗就是电流源，电源内阻远小于负载阻抗就是电压源；两者之间，老老实实将电源内阻带入电路计算。
当开关导通原件的发热量iir？？当负载的发热量ui？？
首先感谢你的回复，MOS管是主要的消耗原件？在电源两端并联MOS管，再通过控制流过它的电流，可不可以这样理解
追答嗯，MOS管在这里会消耗大量能量，会明显发热。不过一般电源不会直接并联MOS管，而是并联在MOS管+一个采样电阻（大功率，小阻值）的两端，从采样电阻获得电压，放大后送控制器，测算出当前电流，形成负反馈以便调节。
追问算明白了一点，那这个MOS管的导通率如何控制？？必须通过单片机还是说可以用简单原件代替，做成手动调节 人脑计算
追答方波占空比控制
追问能否通过可变电阻实现？？
追答用电阻改变占空比？可以的，用555产生可变占空比的方波发生器，可以实现一定范围内的占空比可调，不过效果远远没有单片机的好，调节的范围也很有限。
追问如果直接接入高电平直流电，是不是直接导通
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